[发明专利]一种新型薄膜沉积铝前驱体及其制备方法

权利要求书

1.一种薄膜沉积铝前驱体，其特征在于，具有结构式(I)的分子结构:

其中，R₁、R₂、R₃、R₄、R₅表示氢原子。

2.一种制备如权利要求1所述的一种薄膜沉积铝前驱体的方法，其特征在于按照以下化学式反应：

其中，R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇、R₈、R₉、R₁₀、R₁₁表示氢原子。

3.如权利要求2的方法，其中，包括以下步骤：

(1)将包括铝烷的第二反应物置于反应容器中，加溶剂搅拌均匀，将包括胺基吡啶的第一反应物在低温条件下加入反应容器中，室温搅拌或加热搅拌反应过夜；所述的低温条件为-78℃至0℃，使用选自液氮、干冰、液氨、低温循环泵的任意一种冷却手段及其组合；

(2)将步骤(1)中的混合物过滤，低压浓缩，得到很少量的固液混合物，加入溶剂，静置过夜，得到无色块状晶体，即为前驱体(I)。

4.如权利要求3的方法，其中，室温搅拌或加热搅拌的时间为1至10小时。

5.如权利要求3的方法，其中，室温搅拌或加热搅拌的温度为25℃至150℃。

6.如权利要求3的方法，其中，第一反应物与第二反应物的投料摩尔比为1.0:1.0至1.0:3.0。

7.如权利要求3的方法，其中，溶剂选自以下有机溶剂的任意一种及其组合：选自C₅H₁₂～C₈H₁₈直链或支链烷烃、C₅H₁₀～C₈H₁₆环状烷烃的烷烃；选自苯、甲苯的芳香烃；选自乙醚、四氢呋喃的醚类。

8.一种半导体器件制造方法，包括采用CVD或ALD工艺制备含有铝元素的薄膜，所述薄膜采用如权利要求1所述的铝前驱体制造，其中，所述薄膜包括铝金属薄膜、含铝的氧化物薄膜、含铝的氮化物薄膜、含铝的合金薄膜的任意一种及其组合。