[发明专利]具有可变调整参数的存储器设备有效
| 申请号: | 201510065492.7 | 申请日: | 2015-02-09 |
| 公开(公告)号: | CN104851462B | 公开(公告)日: | 2018-11-20 |
| 发明(设计)人: | 北川真;囯广恭史;大塚涉;对马朋人 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号: | G11C17/16 | 分类号: | G11C17/16 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 李晓芳 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 可变 调整 参数 存储器 设备 | ||
1.一种存储器设备,包括:
包括多个存储器单元的存储器阵列;
耦接到所述存储器阵列的两个或更多个熔丝,其中两个或更多个熔丝的每一个包含针对所述存储器阵列的调整参数;
用于选择所述两个或更多个熔丝中要启动的一个熔丝的模式寄存器;
查找表,其中所述调整参数被加载到所述查找表中;以及
耦接到所述两个或更多个熔丝、所述模式寄存器和所述查找表的多路选择器,其中所述多路选择器在所述两个或更多个熔丝与所述查找表之间,并且所述多路选择器基于存储在所述模式寄存器中的数据向所述查找表输出所选的要启动的熔丝的调整参数。
2.如权利要求1所述的存储器设备,其中熔丝中的调整参数包含针对所述存储器阵列的一个或多个操作参数。
3.如权利要求2所述的存储器设备,其中调整参数至少包括设置电压、设置电流、重置电压、重置电流、设置脉冲宽度、重置脉冲宽度、校验位的数量、设置位的数量和读电压。
4.如权利要求1所述的存储器设备,其中存储器设备是NAND存储器设备。
5.一种用于为具有可变调整设置的存储器设备选择模式的方法,包括:
在模式寄存器中存储用于从用于操作存储器设备的多个模式中选择一个模式的接收到的输入;
选择对应于所选模式的熔丝,其中在所选的熔丝中存储有调整参数;
使用多路选择器,基于存储在所述模式寄存器中的接收到的输入来输出存储在所选的熔丝中的调整参数;
将存储在所述熔丝中并且由多路选择器输出的所述调整参数加载到查找表中;以及
使用存储在所述熔丝中的调整参数操作所述存储器设备。
6.如权利要求5所述的方法,其中熔丝中的调整参数包含针对存储器磁芯的一个或多个操作参数。
7.如权利要求6所述的方法,其中调整参数至少包括设置电压、设置电流、重置电压、重置电流、设置脉冲宽度、重置脉冲宽度、校验位的数量、设置位的数量和读电压。
8.如权利要求5所述的方法,其中存储器设备是NAND存储器设备。
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