[发明专利]匹配电容及其制造方法

说明书

技术领域

本申请涉及一种电容制造技术，特别是一种匹配电容及其制造方法。

背景技术

电容广泛的应用于众多芯片当中。在模数转换器的采样保持电路中，需要用到采样电容C₁和保持电容C_F，且二者的电容值相同。

然而，由于芯片制造工艺引入的偏差，使得电路设计中同样的电容，会因为在加工制造时的位置不一样而有较大差异。

发明内容

在下文中给出关于本发明的简要概述，以便提供关于本发明的某些方面的基本理解。应当理解，这个概述并不是关于本发明的穷举性概述。它并不是意图确定本发明的关键或重要部分，也不是意图限定本发明的范围。其目的仅仅是以简化的形式给出某些概念，以此作为稍后论述的更详细描述的前序。

本发明的一个主要目的在于提供一种新的匹配电容及其制造方法，可以至少部分地消除电容制造工艺过程带来的偏差。

根据本发明的第一方面，一种匹配电容的制造方法，用于制造n个大小相等的匹配电容，n为大于等于2的自然数，包括：

构造一个小电容阵列，该小电容阵列中的每一个元素具有相同的标称电容值；

将数量相同的所述小电容并联，构造得到每个所述匹配电容；

其中用于构造每个所述匹配电容的小电容的列标之和相同；

所述小电容阵列的各个元素的电容值具有随列标线性递增的电容值列偏差。

根据本发明的第二方面，一种匹配电容，包括至少第一电容和第二电容的n个电容，n为大于等于2的自然数；

所述第一电容和所述第二电容分别由小电容阵列中数量相同的元素构成；

以及，构成所述第一电容的小电容阵列的各元素的列标之和等于构成所述第二电容的小电容阵列的各元素的列标之和；

其中，所述小电容阵列中的每一个元素具有相同的标称电容值，且所述小电容阵列的各个元素的电容值具有随列标线性递增的电容值列偏差。

采用本发明的匹配电容及其制造方法，可以至少部分地消除电容制造工艺过程带来的偏差，进而得到实际电容值相同的多个电容。

附图说明

参照下面结合附图对本发明实施例的说明，会更加容易地理解本发明的以上和其它目的、特点和优点。附图中的部件只是为了示出本发明的原理。在附图中，相同的或类似的技术特征或部件将采用相同或类似的附图标记来表示。

图1为本发明的匹配电容的制造方法的一种实施方式的流程图；

图2为小电容阵列的一种实施方式的分布图；

图3为小电容阵列的第二种实施方式的分布图；

图4为小电容阵列的第三种实施方式的分布图。

具体实施方式

下面参照附图来说明本发明的实施例。在本发明的一个附图或一种实施方式中描述的元素和特征可以与一个或更多个其它附图或实施方式中示出的元素和特征相结合。应当注意，为了清楚的目的，附图和说明中省略了与本发明无关的、本领域普通技术人员已知的部件和处理的表示和描述。

参见图1所示，为本发明的匹配电容的制造方法的一种实施方式的流程图。

在本实施方式中，匹配电容的制造方法，用于制造n个大小相等的匹 配电容，n为大于等于2的自然数，包括：

S10：构造一个小电容阵列，该小电容阵列中的每一个元素具有相同的标称电容值；

S20:将数量相同的小电容并联，得到每个匹配电容；

其中用于构造每个匹配电容的小电容的列标之和相同，小电容阵列的各个元素的电容值具有随列标线性递增的电容值列偏差。

参见图2所示，小电容阵列中每一个元素的标称电容值相同，假设标称电容值均为Cs。然而由于电容制造工艺的原因，一次性制造出的在水平方向上排列的多个电容将有水平偏差，由于该水平偏差为线性的偏差，以图2中第一行的四个元素(C₁₁～C₁₄)为例，该四个电容的实际电容值分别为：

C₁₁＝Cs，C₁₂＝Cs+C_h，C₁₃＝Cs+2C_h，C₁₄＝Cs+3C_h。

其中C_h为电容制造过程中的水平偏差。

类似地，在只考虑电容制造过程中的水平偏差的前提下，该小电容阵列中，其它元素的电容值分别为：