[发明专利]匹配电容及其制造方法在审
| 申请号： | 201510054814.8 | 申请日： | 2015-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN104681412A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 王俊峰;吴巍 | 申请（专利权）人： | 南京宇都通讯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 孟阿妮;郭栋梁 |
| 地址： | 210038 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 匹配 电容 及其 制造 方法 | ||
1.一种匹配电容的制造方法，用于制造n个大小相等的匹配电容，n为大于等于2的自然数，其特征在于，包括：
构造一个小电容阵列，所述小电容阵列中的每一个元素具有相同的标称电容值；
将数量相同的所述元素并联，得到每个所述匹配电容；
其中用于构造每个所述匹配电容的小电容的列标之和相同；
所述小电容阵列的各个元素的电容值具有随列标线性递增的电容值列偏差。
2.根据权利要求1所述的匹配电容的制造方法，其特征在于：
用于构造每个所述匹配电容的小电容的行标之和相同；
所述小电容阵列的各个元素的电容值还具有随行标线性递增的电容值行偏差。
3.根据权利要求2所述的匹配电容的制造方法，其特征在于：
所述小电容阵列为方阵。
4.一种匹配电容，包括至少第一电容和第二电容的n个电容，n为大于等于2的自然数；
其特征在于：
所述第一电容和所述第二电容分别由小电容阵列中数量相同的元素构成；
以及，构成所述第一电容的小电容阵列的各元素的列标之和等于构成所述第二电容的小电容阵列的各元素的列标之和；
其中，所述小电容阵列中的每一个元素具有相同的标称电容值，且所述小电容阵列的各个元素的电容值具有随列标线性递增的电容值列偏差。
5.根据权利要求4所述的匹配电容，其特征在于：
构成所述第一电容的小电容阵列的各元素的行标之和等于构成所述第二电容的小电容阵列的各元素的行标之和；
小电容阵列的各个元素的电容值还具有随行标线性递增的电容值行偏差。
6.根据权利要求5所述的匹配电容，其特征在于：
所述小电容阵列为方阵。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
