[发明专利]一种采用疏水性半导体量子点制备多层荧光薄膜的方法

权利要求书

1.一种采用疏水性半导体量子点制备多层荧光薄膜的方法，其特征在于具有如下步骤：

1)疏水性量子点表面的二氧化硅修饰

将一定量的电导率为0.01-50μs/cm的超纯水加入甲苯和正丁醇的混合溶液中，搅拌溶液10-40分钟，直到其完全透明，再加入量子点溶液，缓慢搅拌5-10分钟，使得量子点均匀的分散在混合溶液中，然后加入微量的二氧化硅修饰试剂原硅酸四乙酯或者3-巯基丙基三甲氧基硅烷，搅拌4-72小时，得到疏水性量子点的二氧化硅修饰溶液；

2)交联剂溶液的制备

取甲苯溶剂4-20mL，加入微量的3-氨基丙基三甲氧基硅烷或3-巯基丙基三甲氧基硅烷，室温下搅拌1-15小时，获得交联剂溶液；

3)多层量子点荧光薄膜的制备

首先，将羟基化处理的玻璃基片浸入到交联剂溶液中5-10分钟，使其表面沉积3-氨基丙基三甲氧基硅烷或者3-巯基丙基三甲氧基硅烷层，然后分别使用乙醇和超纯水清洗并在空气中干燥；再将上述沉积3-氨基丙基三甲氧基硅烷或者3-巯基丙基三甲氧基硅烷层的玻璃基片浸入到疏水性量子点的二氧化硅修饰溶液中8-10分钟，然后依次使用乙醇和超纯水冲洗玻璃表面并在室温下干燥，到此为止，在玻璃基片的表面获得了单层量子点荧光薄膜；依照上述的实验步骤，将已经获得单层的量子点荧光薄膜的玻璃基片依次分别浸入到交联剂溶液和疏水性量子点的二氧化硅修饰溶液中，得到双层量子点荧光薄膜；继续上述步骤可得到多层量子点薄膜。

2.根据权利要求1所述采用疏水性半导体量子点制备多层荧光薄膜的方法，其特征在于：所述疏水性半导体量子点为硒化镉-硫化镉、硒化镉-硫化锌、硒化镉-硫化锌镉、硒化锌-硫化锌、硒化镉-硫化锌镉-硫化锌、磷化铟-硫化锌或硫化铜铟-硫化锌，半导体量子点的表面配体为顺式-9-十八烯酸、十六烷基胺、三辛基膦或三辛基氧化膦及其混合体。

3.根据权利要求1所述采用疏水性半导体量子点制备多层荧光薄膜的方法，其特征在于：所述正丁醇和甲苯的体积比为1:1-1:4。

4.根据权利要求1所述采用疏水性半导体量子点制备多层荧光薄膜的方法，其特征在于：所述超纯水与正丁醇的体积比为1:20-1:40。

5.根据权利要求1所述采用疏水性半导体量子点制备多层荧光薄膜的方法，其特征在于：所述疏水性量子点的二氧化硅修饰溶液中量子点的浓度为5×10^-8-1×10^-5mol/L。

6.根据权利要求1所述采用疏水性半导体量子点制备多层荧光薄膜的方法，其特征在于：所述疏水性量子点的二氧化硅修饰溶液中原硅酸四乙酯或者3-巯基丙基三甲氧基硅烷的浓度为2.0×10^-9-2.0×10^-8mol/L。

7.根据权利要求1所述采用疏水性半导体量子点制备多层荧光薄膜的方法，其特征在于：所述交联剂溶液中3-氨基丙基三甲氧基硅烷或者3-巯基丙基三甲氧基硅烷的浓度为2.0×10^-9-2.0×10^-8mol/L。

8.根据权利要求1所述采用疏水性半导体量子点制备多层荧光薄膜的方法，其特征在于：所述多层量子点荧光薄膜中的量子点的浓度为1×10^-5-5×10^-2mol/L。

9.根据权利要求1所述采用疏水性半导体量子点制备多层荧光薄膜的方法，其特征在于：所述多层量子点荧光薄膜中的量子点沉积层数为1-50层。

10.根据权利要求1所述采用疏水性半导体量子点制备多层荧光薄膜的方法，其特征在于：所述多层量子点荧光薄膜中的量子点的发光效率为10-60％。