[发明专利]使用纳米结构连接和粘接相邻层

权利要求书

1.一种电子组件，包括：

第一导电表面；

第二导电表面；以及

两个或更多纳米结构，设置在第一导电表面和第二导电表面之间，

其中所述两个或者更多纳米结构中的每一个的方向都平行于所述两个或者更多纳米结构中的其它纳米结构，

其中所述两个或者更多纳米结构中的每一个生长在所述第一导电表面上，以在所述两个或更多纳米结构的每一个的第一端与所述第一导电表面之间形成第一粘接点，

所述两个或更多纳米结构的方向与所述第一导电表面垂直，

所述两个或更多纳米结构的每一个的第二端与所述第二导电表面之间存在第二粘接点，

所述两个或更多纳米结构的方向与所述第二导电表面垂直，以及

其中通过第一导电表面和第二导电表面在所述两个或更多纳米结构上施加压缩力形成所述第二粘接点。

2.根据权利要求1所述的电子组件，其特征在于，还包括：载体，其中所述两个或更多纳米结构内嵌在所述载体中。

3.根据权利要求2所述的电子组件，其特征在于，通过固化所述载体，产生所述第二粘接点。

4.根据权利要求3所述的电子组件，其特征在于，固化所述载体使得所述载体收缩，从而压缩所述两个或更多纳米结构，并产生弹性负载力，所述弹性负载力将所述两个或更多纳米结构的第二端推抵在第二导电表面上。

5.一种提供集成电路的方法，所述集成电路具有在其上形成的复合焊球，包括步骤：

提供晶片，所述晶片包括多个集成电路，每一个集成电路均具有I/O点；

在所述集成电路的I/O点上生长垂直排列的纳米结构；

在所述集成电路上沉积金属以在所述集成电路的I/O点上形成复合焊球；以及

分割所述晶片以分离所述集成电路，所述集成电路上具有在其上形成的复合焊球。

6.根据权利要求5所述的方法，其中生长垂直排列的纳米结构的步骤包括步骤：

在所述集成电路的I/O点上沉积一个或多个中间层；

在所述一个或多个中间层上沉积催化剂层；

不对基底进行第一次退火，使基底被加热至可以形成纳米结构的温度，以及

在该温度下在催化剂层上生长两个或更多纳米结构，其中所述一个或更多中间层中的至少一个与所述催化剂层相互扩散，其中相互扩散的所述催化剂层和所述一个或更多中间层的至少一个出现在所述纳米结构中。

7.一种使用纳米结构组件将第一导电表面连接到第二导电表面的方法，其特征在于，所述方法包括：

通过以下方式在第一导电表面产生纳米结构组件：

在第一导电表面上沉积一个或多个中间层；

在所述一个或多个中间层上沉积催化剂层；

不对基底进行第一次退火，使基底被加热至可以形成纳米结构的温度，以及

在该温度下在催化剂层上生长两个或更多纳米结构，其中所述一个或更多中间层中的至少一个与所述催化剂层相互扩散，其中相互扩散的所述催化剂层和所述一个或更多中间层的至少一个出现在所述纳米结构中；

使用金属沉积物镀覆所述纳米结构，以在所述第一导电表面上形成镶嵌金属的纳米结构；以及

将所述金属内嵌纳米结构粘接到第二导电表面。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括步骤：

使用粘性聚合体镀覆所述纳米结构组件以在所述第一导电表面上形成带有内嵌纳米结构的薄膜；

打磨所述薄膜以实现所述纳米结构组件的所述两个或更多纳米结构的均匀一致的期望长度；

切割所述薄膜和所述第一导电表面以产生一个或多个单独的衬板；每个衬板包括薄膜部分和第一导电表面部分。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述粘接步骤包括步骤：

将所述一个或多个衬板应用于所述第二导电表面；以及

将所述一个或多个衬板固化，从而将所述第二导电表面粘接到所述一个或多个衬板的表面。