[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第一导电型的由SiC构成的半导体层，其形成有栅沟道；

栅绝缘膜，其形成于所述栅沟道的侧面及底面，且一体包括所述侧面上的侧面绝缘膜以及所述底面上的底面绝缘膜；

栅电极，其埋设于所述栅沟道，

其中，

所述侧面绝缘膜包括外伸部，该外伸部具有以在形成于所述栅沟道的开口端的上部边缘处向所述栅沟道的内侧突出的方式选择性地比该侧面绝缘膜的其他部分变厚的厚度T₁，

所述半导体层包括：所述外伸部的外侧的第一导电型的源区域；与所述源区域相接，且形成所述栅沟道的侧面的一部分的第二导电型的主体区域，

所述底面绝缘膜的厚度T₃比所述侧面绝缘膜的所述外伸部以外的部分的厚度T₂大，

多个所述主体区域在俯视下排列设为矩阵状，

所述栅沟道呈将排列设为矩阵状的多个所述主体区域划分的格子状，

所述外伸部形成为将各所述主体区域围住，

所述厚度T₁相对于所述厚度T₂的比T₁/T₂为2～3，

所述栅沟道的所述底面是Si面，

所述厚度T₁是所述厚度T₂是所述厚度T₃是

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述半导体层包括SiC基板。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

包括以横断所述栅电极的上方的方式形成的源电极。

4.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述外伸部还向所述栅沟道的外侧突出。

5.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述半导体层在从所述栅沟道的底面到所述半导体层的厚度方向中途部的部分具有第二导电型杂质区域。

6.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述栅电极在比所述主体区域深的位置具有底部。