[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法在审

专利信息
申请号: 201510012894.0 申请日: 2015-01-12
公开(公告)号: CN104779235A 公开(公告)日: 2015-07-15
发明(设计)人: 龙登超;潘添铭;陈天山 申请(专利权)人: 英飞凌科技奥地利有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L21/60
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 蒋骏;胡莉莉
地址: 奥地利*** 国省代码: 奥地利;AT
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体器件,包括:

载体,包括:

  被配置成保持半导体芯片的第一部分;和

  被配置用于将所述半导体器件安装到支撑件的第二部分,所述第二部分还包括:

    被配置为连接到所述支撑件的第一特征;和

    被配置成促进将热量传递离开所述第一部分的至少一个第二特征,其中所述至少一个第二特征增加所述第二部分的表面积。

2.根据权利要求1所述的半导体器件,

其中所述载体的所述第一部分包括平坦表面。

3.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述载体的所述第二部分包括多个第二特征。

4.根据权利要求3所述的半导体器件,其中所述多个第二特征中的至少一个是盲孔。

5.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述第二特征具有选自由下述构成的组的形状:

矩形;

方形;

圆形;

椭圆形;

多边形;

星状;和

槽状。

6.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述第二部分包括用于将所述半导体器件安装到所述支撑件的直通孔。

7.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述载体的所述第一部分和所述第二部分具有相同厚度。

8.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述第一部分和所述第二部分包括相同材料。

9.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述载体包括来自由下述构成的组的材料:

铜;

铜合金;

镍;和

镍合金。

10.根据权利要求1所述的半导体器件,其中 所述第一部分至少部分地被密封。

11.一种半导体器件,包括:

载体,包括:

  被配置成保持半导体芯片的保持区域;和

  包括平面表面的热消散区域,其中所述热消散区域在所述平面表面内包括至少两个遮断物。

12.根据权利要求11所述的半导体器件,其中所述两个遮断物中的至少一个是盲孔。

13.根据权利要求11所述的半导体器件,其中所述两个遮断物中的至少一个是直通孔。

14.根据权利要求11所述的半导体器件,其中所述保持区域是平坦区域。

15.根据权利要求11所述的半导体器件,还包括布置在所述保持区域上的半导体芯片。

16.一种用于制造半导体器件的方法,所述方法包括:

提供包括被配置成保持半导体芯片的第一部分和被配置用于将所述半导体器件安装到支撑件的第二部分的载体;

在所述第二部分中形成至少一个特征,其中所述至少一个特征被配置成促进将热量传递离开所述第一部分,其中所述至少一个特征增加所述第二部分的表面积。

17.根据权利要求16所述的用于制造半导体器件的方法,其中所述至少一个特征通过选自由下述构成的工艺组的一个工艺形成:

冲压;

冲孔;

蚀刻;

铣削;和

钻孔。

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