[发明专利]用于真空沉积的材料源配置与材料分布配置

权利要求书

1.一种线性分布管(106)，用于在真空腔室(110)中将蒸发的材料沉积在基板(121)上，所述线性分布管包括：

分布管壳体(116)，沿着第一方向(136)延伸并包括第一壳体材料，其中所述第一方向提供所述线性分布管(106)的线性延伸；

多个开孔，位于所述分布管壳体(116)中并沿着所述线性分布管的线性延伸而分布；以及

多个喷嘴(712)，经构造以引导所述真空腔室(110)中的所述蒸发的材料，这些喷嘴包括第一喷嘴材料，所述第一喷嘴材料具有大于所述第一壳体材料的热传导率，其中这些喷嘴(712)包括通道(203)，用于引导所述蒸发的材料通过这些喷嘴，并且至少所述通道的表面涂布有钽(Ta)、铌(Nb)、钛(Ti)、类金刚石镀膜(DLC)、和石墨中的至少一者。

2.根据权利要求1所述的线性分布管，其中所述通道(203)的所述表面涂布有所述第一喷嘴材料或第二喷嘴材料(208)，所述第二喷嘴材料对于蒸发的有机材料是化学惰性的。

3.根据权利要求1所述的线性分布管，其中这些喷嘴(712)包括铜。

4.根据权利要求1-3任一项所述的线性分布管，其中这些喷嘴(712)可拧紧至所述线性分布管(106)。

5.根据权利要求1-3任一项所述的线性分布管，其中所述通道的几何形状经设计以形成具有类似cosⁿ轮廓的所述蒸发的材料的羽状物，其中n≥4。

6.一种材料沉积配置(100)，用于在真空腔室(110)中将材料沉积在基板(121)上，所述材料沉积配置包括：

蒸发源(102)；

分布管(106)，所述分布管(106)包括第一壳体材料并与所述蒸发源(102)流体连通；以及

喷嘴(712)，用于在所述真空腔室(110)中引导所述蒸发的材料，其中所述喷嘴(712)包括第一喷嘴材料，所述第一喷嘴材料具有大于所述第一壳体材料的热传导率，其中这些喷嘴(712)包括通道(203)，用于引导所述蒸发的材料通过这些喷嘴，并且至少所述通道的表面涂布有钽(Ta)、铌(Nb)、钛(Ti)、类金刚石镀膜(DLC)、和石墨中的至少一者。

7.根据权利要求6所述的材料沉积配置，其中所述蒸发源(102)是用于提供有机材料的蒸发源。

8.根据权利要求6所述的材料沉积配置，进一步包括多个加热元件(726)，用于加热所述分布管(106)至要沉积的所述材料的蒸发温度或超过所述蒸发温度的温度。

9.根据权利要求6所述的材料沉积配置，其中所述第一喷嘴材料具有大于21W/mK的热传导率。

10.根据权利要求6至9任一项所述的材料沉积配置，其中所述分布管(106)为根据权利要求1至4的任一项所述的线性分布管。

11.一种真空沉积设备，包括：

真空腔室(110)；以及

根据权利要求6至9任一项所述的材料沉积配置(100)。

12.根据权利要求11所述的设备，其中所述蒸发源(102)为用于有机材料的蒸发坩埚 ，所述材料沉积配置(100)的所述分布管(106)连接于所述蒸发坩埚 ，用于从所述蒸发坩埚引导蒸发的材料至所述真空腔室(110)。

13.根据权利要求12所述的设备，其中所述喷嘴(712)包括第二喷嘴材料(208)，所述第二喷嘴材料(208)对于蒸发的有机材料是化学惰性的；并且其中所述材料沉积配置(100)的所述喷嘴(712)经排列以用于引导所述蒸发的材料朝向所述真空腔室(110)中的基板(121)。