[发明专利]用于高电压应用的具有含多场弛豫沟槽的终端结构的沟槽MOS器件有效
| 申请号： | 201480072323.X | 申请日： | 2014-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN105900244B | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 林亦佑;张竣珏;龚璞如 | 申请（专利权）人： | 威世通用半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 韩峰;孙志湧 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 电压 应用 具有 含多场弛豫 沟槽 终端 结构 mos 器件 | ||
【说明书】：
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