[发明专利]用于后段(BEOL)互连的利用多色光桶的自对准过孔图案化有效
| 申请号: | 201480063066.3 | 申请日: | 2014-10-30 |
| 公开(公告)号: | CN105793977B | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
| 发明(设计)人: | R·L·布里斯托尔;J·M·布莱克韦尔;A·M·迈尔斯;K·J·辛格 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
| 主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 林金朝;王英 |
| 地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 后段 beol 互连 利用 多色 对准 图案 | ||
1.一种用于集成电路的互连结构,所述互连结构包括:
设置在衬底上方的所述互连结构的第一层,所述第一层包括第一方向上的交替的金属线和电介质线的第一格栅,其中,所述电介质线具有高于所述金属线的最高表面的最高表面;以及
设置在所述互连结构的所述第一层上方的所述互连结构的第二层,所述第二层包括第二方向上的交替的金属线和电介质线的第二格栅,所述第二方向垂直于所述第一方向,其中,所述电介质线具有低于所述第二格栅的所述金属线的最低表面的最低表面,其中,所述第二格栅的电介质线与所述第一格栅的电介质线重叠并接触,但所述第二格栅的电介质线与所述第一格栅的电介质线不同;以及
第一电介质区和第二电介质区,其设置在所述第一格栅的金属线与所述第二格栅的金属线之间,并且与所述第一格栅的电介质线的上部和所述第二格栅的电介质线的下部处于同一平面中,所述第一电介质区包括第一交联的可光解材料,并且所述第二电介质区包括不同的第二交联的可光解材料。
2.根据权利要求1所述的互连结构,其中,所述第一交联的可光解材料是交联的193nm聚甲基丙烯酸酯抗蚀剂,并且所述第二交联的可光解材料是交联的248nm聚羟基苯乙烯抗蚀剂。
3.根据权利要求1所述的互连结构,其中,所述第一交联的可光解材料是交联的双色调抗蚀剂,并且所述第二交联的可光解材料是交联的单色调抗蚀剂。
4.根据权利要求1所述的互连结构,还包括:
导电过孔,其设置在所述第一格栅的金属线与所述第二格栅的金属线之间并且将所述第一格栅的金属线耦合到所述第二格栅的金属线,所述导电过孔与所述第一电介质材料区和所述第二电介质材料区处于同一平面中。
5.根据权利要求4所述的互连结构,其中,所述导电过孔具有与所述第一格栅的金属线的中心直接对准并且与所述第二格栅的金属线的中心直接对准的中心。
6.根据权利要求1所述的互连结构,其中,所述第一格栅的电介质线包括第一电介质材料,并且所述第二格栅的电介质线包括不同的第二电介质材料,并且其中,所述第一电介质材料和所述第二电介质材料与所述第一交联的可光解材料和所述第二交联的可光解材料不同。
7.根据权利要求1所述互连结构,其中,所述第一格栅的电介质线和所述第二格栅的电介质线包括相同的电介质材料,所述电介质材料与所述第一交联的可光解材料和所述第二交联的可光解材料不同。
8.一种制作用于集成电路的互连结构的方法,所述方法包括:
在ILD材料层上方形成掩模,所述掩模具有多个间隔开的特征,所述多个间隔开的特征中的每个特征具有中心部分和一对侧壁间隔体;
使用所述掩模形成部分进入所述ILD材料层的第一多个沟槽;
在所述第一多个沟槽中形成第一色彩光桶;
通过去除所述掩模的每个特征的所述中心部分来由所述掩模形成第二掩模;
使用所述第二掩模形成部分进入所述ILD材料层的第二多个沟槽;
在所述第二多个沟槽中形成不同的第二色彩光桶;
通过使用第一光刻曝光来将所述第一色彩光桶中的一部分光桶曝光、显影并去除;
通过使用不同的第二光刻曝光来将所述第二色彩光桶中的一部分光桶曝光、显影并去除;
在去除了所述第一色彩光桶中的所述一部分光桶和所述第二色彩光桶中的所述一部分光桶的地方形成过孔位置;以及
在所述过孔位置中形成金属过孔并且在所述金属过孔上方形成金属线。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,所述第一色彩光桶包括193nm聚甲基丙烯酸酯抗蚀剂并且所述第一光刻曝光是193nm的曝光,并且其中,所述第二色彩光桶包括248nm聚羟基苯乙烯抗蚀剂并且所述第二光刻曝光是248nm的曝光。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司,未经英特尔公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480063066.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





