[发明专利]用于控制气流模式的处理腔室设备、系统及方法

说明书

相关申请

此申请请求以下优先权：美国专利申请第14/091,111号，于2013年11月26日申请，且名称为“PROCESSCHAMBERAPPARATUS,SYSTEMS,ANDMETHODSFORCONTROLLINGAGASFLOWPATTERN”(事务所文件编号21363/USA)；所述美国申请在此为所有目的通过引用结合在此。

技术领域

本发明一般地涉及电子装置制造，且更具体地涉及用于在处理腔室中控制处理气体流动的阀设备、系统及方法。

背景技术

常规电子装置制造系统可包含一个或多个处理腔室，所述处理腔室经配置以执行任何数量的基板处理，所述基板处理包含例如脱气、预清洁或清洁、沉积(例如化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)，和/或原子层沉积)、涂层、氧化、硝化、蚀刻(例如，等离子体蚀刻)及类似处理。基板可为半导体晶片、玻璃板或面板，和/或其它用来制作电子装置或电路部件的工件。基板可通过狭缝阀转移进和转移出处理腔室。一旦基板正确地定位于处理腔室内，所述狭缝阀可被关闭，且所述基板的所述处理可以开始。作为所述处理的一部分，特定的处理气体被引入至所述处理腔室中。在某些状况下，在所述处理腔室中的所述气流可能不均匀，这可能导致所不期望的非均匀处理(例如，非均匀蚀刻、沉积，和/或类似处理)。在处理腔室中控制气流的各种方法是已知的，例如使用多个入流导管及阀。然而，这样的气流控制系统倾向于复杂且昂贵，并且仍无法充分解决不均匀的气流。

因此，用于调整处理腔室中的气流模式(例如，气流速率与均匀性)的改善设备、系统及方法是所期望的。

发明内容

依据第一方面，处理腔室气流控制设备被提供。所述处理腔室气流控制设备包括：处理腔室，所述处理腔室经配置以在处理腔室中处理基板，所述处理腔室具有排气口；以及阀，所述阀经配置以密封所述排气口且经配置以相对于所述排气口在X、Y及Z方向上移动，以调整在所述处理腔室内的气流模式。

依据第二方面，电子装置制造系统被提供。所述电子装置制造系统包括：处理腔室，所述处理腔室经配置以在处理腔室中处理基板，所述处理腔室具有排气口；处理气体入口，所述处理气体入口耦接至所述处理腔室且经配置以引导处理气体进入所述处理腔室；以及阀，所述阀经配置以密封所述排气口且经配置以相对于所述排气口在X、Y及Z方向上移动，以调整在所述处理腔室内的气流模式。

依据第三方面，调整处理腔室内处理气体流动的方法被提供。所述方法包括：提供具有排气口的处理腔室；提供阀，所述阀经配置以密封所述排气口且经配置以相对于所述排气口在X、Y及Z方向上移动；以及通过在所述X、Y及Z方向中的一个或多个方向上移动所述阀而调整在所述处理腔室中的气流模式。

还有本发明的具体实施方式的其它方面、特征及优点将从以下详细描述中显而易见，其中多个示例性具体实施方式及实作被描述和示出，包含实现本发明所设想的最佳模式。本发明也可包含其它且不同的具体实施方式，且本发明的多个细节可在均不背离本发明的范围下于各种方面中进行改良。因此，所述附图及描述实质上应被视为示例性的而非限制性的。本发明涵盖所有落入本发明范围内的改良、等效形式及替代形式。

附图说明

以下描述的所述附图仅用于示例性的目的且不必需按比例绘制。所述附图并不旨在以任何方式限制本公开内容的所述范围。

图1依据具体实施方式，示出了电子装置制造系统的截面侧视图，所述电子装置制造系统包含具有阀的处理腔室气流控制设备，所述阀经配置以在所述X、Y及Z方向上移动。

图2A至2B依据具体实施方式，示出了第一处理腔室气流控制设备的简化透视图。

图2C至2E依据具体实施方式，示出了第一处理腔室气流控制设备的简化顶部、截面侧边，及分解透视图。

图3A至3C依据具体实施方式，示出了第二处理腔室气流控制设备的简化透视顶部，及截面侧边视图。

图4A至4D依据具体实施方式，示出了第三处理腔室气流控制设备的简化透视顶部、截面侧边，及侧视示意图。

图5A至5D依据具体实施方式，示出了排气口阀在所述X和/或Y方向上的示例性移动的简化顶视图。

图5E至5F依据具体实施方式，示出了排气口阀在所述Z和X方向上的示例性移动的简化截面侧视图。

图6依据具体实施方式，示出了调整在处理腔室内的处理气体流动的方法的流程图。

具体实施方式