[发明专利]覆膜形成用组合物以及使用其的覆膜形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及用于制造覆膜的组合物以及使用了该组合物的覆 膜形成方法，所述覆膜可用于制造显示设备、半导体元件，并且 气体阻隔性能高。

背景技术

硅质膜的硬度及密闭性比较高，因而在半导体元件的制造领 域中被应用于各种用途，具体而言，应用于基板或电路等的硬涂 膜、气体阻隔膜、基材强度提高膜等用途中。关于这样的硅质膜， 人们正在研究各种硅质膜。

其中，特别正在研究气体阻隔性能优异的覆膜的形成方法。 在这些方法中，通常使用聚硅氮烷作为覆膜生成材料。例如，在 专利文献1中，公开了一种将多个气体阻隔膜进行层叠而制造气 体阻隔薄膜的方法；在专利文献2中，公开了一种在基板的两面 分别形成了防紫外线层以及气体阻隔膜的气体阻隔薄膜；在专利 文献3中公开了一种包含防渗出层、具有防紫外线性的层以及根 据需要的氟树脂层的气体阻隔性薄膜。任一个都在气体阻隔膜的 材料的一部分中使用了聚硅氮烷材料。另外在专利文献4中，公 开了一种在水蒸气的存在下对包含催化剂的聚硅氮烷膜照射真空 紫外线(波长230nm以下)以及紫外线(波长230～300nm)，从而形成 气体阻隔膜的方法，另外，在专利文献5中，公开了一种在氮气 气氛下对由包含过渡金属的聚硅氮烷组合物形成的涂膜照射真空 紫外线(波长230nm以下)而形成气体阻隔膜的方法。

但根据本发明人的研究，由以聚硅氮烷为主要成分的覆膜形 成材料形成的覆膜的气体阻隔性能常常不充分，人们期望开发出 一种可形成气体阻隔性进一步得以改良的覆膜的覆膜形成用组合 物以及覆膜形成方法。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-173057号公报

专利文献2：日本特开2011-194766号公报

专利文献3：日本特开2012-006154号公报

专利文献4：日本特表2009-503157号公报

专利文献5：日本特开2012-148416号公报

专利文献6：美国专利第6329487号说明书

发明内容

发明想要解决的课题

本发明鉴于上述课题，想要提供一种气体阻隔性能更优异的覆 膜以及可形成这样的覆膜的覆膜形成用组合物以及覆膜形成方法。

用于解决问题的方案

本发明的覆膜形成用组合物的特征在于，其包含由下述通式 (1)表示的聚硅氧烷、聚硅氮烷和有机溶剂，

[化学式1]

{式中，R¹¹分别独立地为从由氢原子、烷基、烯基、环烷基、 芳基、烷氧基、氨基、及烷基甲硅烷基组成的组中选出的基团， R¹¹为除了氢原子以外的基团时，也可被一个或者一个以上的从由 卤素原子、烷基、烷氧基、氨基、甲硅烷基以及烷基甲硅烷基组 成的组中选出的基团取代，式中的全部的R¹¹中所含的氨基以及烷 氧基的总数是R¹¹的总数的5％以下，R¹²各自独立地为碳原子数 1～8的烃基或者-R¹³-N-R¹⁴₂(此处，R¹³是碳原子数1～5的烃基，R¹⁴分别独立地为氢或者碳原子数1～3的烃基)}。

另外，本发明的覆膜形成方法的特征在于包含下述的工序：

(1)将前述的覆膜形成用组合物涂布于由有机材料形成的基板 上而形成涂膜的涂布工序，以及

(2)对前述涂膜照射光的曝光工序。

另外，本发明的覆膜的特征在于通过前述的方法而制造。

发明的效果

根据本发明，可形成具有优异的气体阻隔性能、另外兼具高 致密性和热稳定性的覆膜。

具体实施方式

以下对本发明的实施方式进行详细说明。

覆膜形成用组合物

本发明的覆膜形成用组合物中，将聚硅氧烷、聚硅氮烷、有 机溶剂作为必需成分而包含，也可根据需要包含其它添加剂。如 以下那样说明这些各成分。

聚硅氧烷