[发明专利]碳化硅半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201480044578.5 | 申请日： | 2014-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN105453228B | 公开（公告）日： | 2017-12-19 |
| 发明（设计）人： | 中岛经宏;岩谷将伸;今井文一 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/41;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人： | 王颖,金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
生长工序，在碳化硅的半导体基板的正面上形成碳化硅外延层；
磨削工序，在所述生长工序后，对所述半导体基板的背面进行磨削，从而将所述半导体基板的厚度减薄；
除去工序，通过研磨或蚀刻来除去由于所述磨削工序而在所述半导体基板的背面的表面层产生的变质层；
在所述除去工序后，在所述半导体基板的背面形成镍膜的工序；
通过热处理使所述镍膜硅化而形成硅化镍层的工序；以及
在所述硅化镍层的表面上形成金属电极的工序。
2.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，所述研磨为化学机械研磨。
3.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，所述蚀刻为干法蚀刻或者湿法蚀刻。
4.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述除去工序中，将所述半导体基板的厚度减薄100nm以上。
5.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，
在所述生长工序中，在所述半导体基板的背面生长升华层，
在所述磨削工序中，除去所述升华层并且除去所述半导体基板的背面的表面层。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，所述金属电极是依次堆叠钛膜、镍膜和银膜而成的金属电极，或者是依次堆叠钛膜、镍膜和金膜而成的金属电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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