[发明专利]用于固定电极隧穿识别的可制造亚3纳米钯间隙器件

权利要求书

1.一种制造纳米间隙的方法，所述方法包括：

在晶片上设置氧化物；

在所述氧化物上设置纳米线；以及

施加氦离子束将纳米线切割成第一纳米线部分和第二纳米线部分，以在纳米器件中形成所述纳米间隙；

其中，施加所述氦离子束切割所述纳米间隙在所述纳米间隙的至少一个开口附近形成了纳米线材料的标志，

其中，施加氦离子束将纳米线切割成第一纳米线部分和第二纳米线部分，以在纳米器件中形成所述纳米间隙包括：

施加氦离子束以将所述纳米线侧向窄化为第一纳米线部分和第二纳米线部分，所述第一纳米线部分和所述第二纳米线部分在纳米器件中形成第一纳米间隙，

其中，施加氦离子束将所述纳米线侧向窄化形成连接所述第一纳米线部分和所述第二纳米线部分的桥；并且

在所述桥中切割第二纳米间隙，以从所述第一纳米线部分形成第一延伸并且从所述第二纳米线部分形成第二延伸。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述纳米线包括钯。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述晶片包括硅。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述氧化物是二氧化硅。

5.一种制造纳米间隙的方法，所述方法包括：

在晶片上设置氧化物；

在所述氧化物上设置纳米线；

施加氦离子束以将所述纳米线侧向窄化为第一纳米线部分和第二纳米线部分，所述第一纳米线部分和所述第二纳米线部分在纳米器件中形成第一纳米间隙；

其中，施加氦离子束将所述纳米线侧向窄化形成连接所述第一纳米线部分和所述第二纳米线部分的桥；并且

在所述桥中切割第二纳米间隙，以从所述第一纳米线部分形成第一延伸并且从所述第二纳米线部分形成第二延伸。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第二纳米间隙比所述第一纳米间隙细。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，将所述纳米线窄化以使所述第一延伸和所述第二延伸在所述第二纳米间隙被切割之后具有矩形形状。

8.根据权利要求5所述的方法，其中，将所述纳米线窄化以使所述第一延伸和所述第二延伸在所述第二纳米间隙被切割之后具有圆形形状。

9.根据权利要求5所述的方法，其中，将所述纳米线窄化以使所述第一延伸和所述第二延伸在所述第二纳米间隙被切割之后具有三角形状。

10.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第二纳米间隙由所述第一延伸和所述第二延伸形成；并且

其中，所述第二纳米间隙的尺寸容纳靶分子的单个碱基或单核苷酸，其中，所述靶分子包括脱氧核糖核酸分子、核糖核酸分子和蛋白质中的至少一个；并且

当所述第二纳米间隙的尺寸允许所述单个碱基或所述单核苷酸经由测试电流测序时，同时位于所述第一延伸和所述第二延伸之间的所述第二纳米间隙里。

11.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一延伸和所述第二延伸都延伸至所述第一纳米间隙。

12.一种用于测序的结构，所述结构包括：

位于晶片上的氧化物；

位于所述氧化物上的纳米线；

所述纳米线的窄化侧向区域，通过施加氦离子束而形成，所述窄化侧向区域形成第一纳米线部分和第二纳米线部分，其中，所述第一纳米线部分和所述第二纳米线部分形成第一纳米间隙；

所述窄化侧向区域形成连接所述第一纳米线部分和所述第二纳米线部分的桥；以及

所述桥中的第二纳米间隙，从所述第一纳米线部分形成第一延伸并且从所述第二纳米线部分形成第二延伸。

13.根据权利要求12所述的结构，其中，所述第二纳米间隙比所述第一纳米间隙细。

14.根据权利要求12所述的结构，其中，将所述纳米线窄化以使所述第一延伸和所述第二延伸在所述第二纳米间隙被切割之后具有矩形形状。

15.根据权利要求12所述的结构，其中，将所述纳米线窄化以使所述第一延伸和所述第二延伸在所述第二纳米间隙被切割之后具有圆形形状。

16.根据权利要求12所述的结构，其中，将所述纳米线窄化以使所述第一延伸和所述第二延伸在所述第二纳米间隙被切割之后具有三角形状。