[发明专利]用于半导体的单晶硅锭和晶片

权利要求书

1.一种用于半导体的单晶硅锭和晶片，其特征在于，其包括过渡区域，在包含在间隙主导的无缺陷区域中的晶体缺陷中，所述过渡区域主要含有尺寸为10-30纳米的晶体缺陷，所述过渡区域，其中，对所述锭和所述晶片进行至少一次热处理之前的初始氧浓度与进行至少一次热处理之后的最终氧浓度之间的差别为0.5ppma或更少。

2.如权利要求1所述的用于半导体的单晶硅锭和晶片，其特征在于，所述过渡区域还包括空位主导的无缺陷区域，

其中，以晶片的直径为基准计，所述间隙主导的无缺陷区域占据整个过渡区域的70％或更多。

3.如权利要求1所述的用于半导体的单晶硅锭和晶片，其特征在于，在所有包含在过渡区域中的晶体缺陷中，所述尺寸为10-30纳米的晶体缺陷多于50％。

4.如权利要求1所述的用于半导体的单晶硅锭和晶片，其特征在于，在所有包含在过渡区域中的晶体缺陷中，所述尺寸为10-30纳米的晶体缺陷多于70％。

5.如权利要求1所述的用于半导体的单晶硅锭和晶片，其特征在于，包含在所述过渡区域中的晶体缺陷的尺寸为10-19纳米。

6.如权利要求2所述的用于半导体的单晶硅锭和晶片，其特征在于，通过Ni雾度方法可区分所述空位主导的无缺陷区域和间隙主导的无缺陷区域。

7.如权利要求1-6中任一项所述的用于半导体的单晶硅锭和晶片，其特征在于，所述至少进行一次热处理包括重复进行热处理6次或更多次。

8.如权利要求7所述的用于半导体的单晶硅锭和晶片，其特征在于，所述晶片是用于SOI的晶片。

9.如权利要求1所述的用于半导体的单晶硅锭和晶片，其特征在于，所述初始氧浓度为10ppma或更低。

10.如权利要求1所述的用于半导体的单晶硅锭和晶片，其特征在于，所述过渡区域不包括属于O带区域的晶体缺陷。

11.如权利要求1所述的用于半导体的单晶硅锭和晶片，其特征在于，所述过渡区域包括属于O带区域的晶体缺陷，其含量为30％或更少。