[发明专利]固态成像器件、固态成像器件的制造方法及电子装置在审
| 申请号: | 201480028257.6 | 申请日: | 2014-06-20 |
| 公开(公告)号: | CN105229790A | 公开(公告)日: | 2016-01-06 |
| 发明(设计)人: | 桝田佳明;宫波勇树;阿部秀司;平野智之;山口征也;蛯子芳树;渡边一史;荻田知治 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G02B1/118 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 曹正建;陈桂香 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 固态 成像 器件 制造 方法 电子 装置 | ||
1.一种固态成像器件,其包括:
具有蛾眼结构的防反射部,其设置在处于二维地布置的每个像素的光电转换区域的光接收表面侧的界面上;以及
用于以阻挡入射光的像素间遮光部,其设置在所述防反射部的所述界面下方。
2.如权利要求1所述的固态成像器件,其中,
所述光电转换区域是半导体区域,且
所述像素间遮光部具有通过沿深度方向在像素边界处挖掘所述半导体区域获得的沟槽结构。
3.如权利要求2所述的固态成像器件,其中,所述像素间遮光部是通过使用透明绝缘膜填充沿所述深度方向挖掘的所述半导体区域形成的。
4.如权利要求2所述的固态成像器件,其中,所述像素间遮光部是通过使用透明绝缘膜和金属材料填充沿深度方向挖掘的所述半导体区域形成的。
5.如权利要求3所述的固态成像器件,其中,在所述半导体区域与所述透明绝缘膜之间层叠钉扎层。
6.如权利要求3所述的固态成像器件,其中,在所述半导体区域与所述透明绝缘膜之间层叠钉扎层和防反射膜。
7.如权利要求1所述的固态成像器件,其中,所述防反射部形成在像素区域的预定百分比区域中的像素中心部处。
8.如权利要求7所述的固态成像器件,其中,所述防反射部形成在所述像素区域的80%区域中的所述像素中心部处。
9.如权利要求1所述的固态成像器件,其中,所述像素间遮光部的沟槽宽度等于或大于40nm。
10.如权利要求1所述的固态成像器件,其中,所述像素间遮光部的沿深度方向的挖掘量等于或大于入射光的波长。
11.如权利要求1所述的固态成像器件,其中,在所述像素之间,在处于所述光接收表面侧的所述界面上通过预定宽度的没有形成用作所述防反射部的所述蛾眼结构的区域来设置平坦部。
12.如权利要求11所述的固态成像器件,其中,通过使用绝缘材料填充所述沟槽来设置像素分离部,所述沟槽是通过在所述平坦部中沿深度方向挖掘所述半导体区域获得的,所述像素分离部在彼此相邻的所述像素的所述光电转换区域之间用于分离。
13.如权利要求12所述的固态成像器件,其中,在所述像素分离部的所述沟槽中,使用具有遮光性能的遮光材料来填充所述绝缘材料的内侧。
14.如权利要求11所述的固态成像器件,其还包括相位差像素,所述相位差像素输出用于通过使用图像平面中的相位差来控制自动对焦的信号,
其中,所述相位差像素的处于所述光接收表面侧的所述界面形成为平坦表面。
15.一种固态成像器件的制造方法,其包括:
在处于二维地布置的每个像素的光电转换区域的光接收表面侧的界面上形成具有蛾眼结构的防反射部;以及
在所述防反射部的所述界面下方形成用于阻挡入射光的像素间遮光部。
16.一种包括固态成像器件的电子装置,所述固态成像器件包括具有蛾眼结构的防反射部以及用于阻挡入射光的像素间遮光部,所述防反射部设置在处于二维地布置的每个像素的光电转换区域的光接收表面侧的界面上,且所述像素间遮光部设置在所述防反射部的所述界面下方。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480028257.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种以新型材料替代钢圈定型的文胸
- 下一篇:一种多吸管电子水烟
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





