[发明专利]用于计数霉菌菌落的培养装置和方法

权利要求书

1.一种薄膜培养装置，包括：

耐水的第一衬底；

耐水的第二衬底；

生长区，设置在所述第一衬底和所述第二衬底之间；

干的、冷水可溶的胶凝剂，设置在所述生长区中；以及

有效量的钙螯合化合物，设置在所述生长区中；

其中，当所述生长区用预定体积的含水液体水合并且用霉菌菌种的菌落形成单位接种时，相对于在不含有设置在所述生长区中的所述有效量的原本相同培养装置中生长的相同霉菌菌种的菌落的侧向扩大速率，所述有效量的钙螯合化合物能够降低在培养装置中生长的所述菌落形成单位的侧向扩大速率；

其中降低所述菌落形成单位的侧向扩大速率基本上不延缓对所述菌落的检测。

2.根据权利要求1所述的薄膜培养装置，还包括设置在所述生长区中的钙盐。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的薄膜培养装置，其中所述钙螯合化合物和/或存在的所述钙盐设置在第一干涂层中。

4.根据前述权利要求中任一项所述的薄膜培养装置，其中所述干的、冷水可溶的胶凝剂设置在所述第一干涂层中和/或第二干涂层中。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的薄膜培养装置，其中在适于生长霉菌微生物的温度下温育48小时之后，相对于在不含所述钙螯合化合物的基本上相同的薄膜培养装置中生长的霉菌微生物的第二平均菌落直径，所述有效量的钙螯合化合物足以使所述霉菌微生物的第一平均菌落直径降低至少30％。

6.根据前述权利要求中任一项所述的薄膜培养装置，其中所述钙螯合化合物包含乙二胺四乙酸、乙二醇四乙酸或柠檬酸。

7.根据权利要求6所述的薄膜培养装置，其中所述钙螯合化合物包含乙二胺四乙酸二钠二水合物，其中所述乙二胺四乙酸二钠二水合物以约0.5mg/100cm²至约12mg/100cm²的涂层密度设置在所述生长区中的干涂层中。

8.根据前述权利要求中任一项所述的薄膜培养装置，还包括营养培养基以支持霉菌微生物的生长。

9.根据前述权利要求中任一项所述的薄膜培养装置，还包括指示剂。

10.根据前述权利要求中任一项所述的薄膜培养装置，还包括预定体积的含水液体，其中设置在所述生长区中的所述有效量的钙螯合化合物溶解于所述含水液体中，其浓度为：相对于在不含有设置在所述生长区中的所述有效量的原本相同培养装置中生长的相同霉菌菌种的菌落的侧向扩大速率，能够有效地降低在含有设置在所述生长区中的所述有效量的培养装置中生长的霉菌菌种的菌落的侧向扩大速率。

11.根据前述权利要求中任一项所述的薄膜培养装置，还包括粘附到所述第一衬底的透气膜，其中所述透气膜与所述培养装置的所述生长区基本上共延。

12.一种用于计数微生物的方法，包括：

在薄膜培养装置的生长区中形成接种的培养基，所述薄膜培养装置包含设置在所述生长区中的有效量的钙螯合化合物；

温育所述接种的培养基持续足以形成霉菌微生物的宏观可检测菌落的预定时间段；以及

计数所述生长区中霉菌微生物的宏观可检测菌落的数目；

其中形成所述接种的培养基包括用预定体积的含水液体水合所述生长区；

其中，当所述生长区用所述预定体积的含水液体水合并且用霉菌菌种的菌落形成单位接种时，相对于在不含有设置在所述生长区中的所述有效量的原本相同培养装置中生长的相同霉菌菌种的菌落的侧向扩大速率，所述钙螯合化合物降低在培养装置中生长的所述菌落形成单位的侧向扩大速率；

其中降低侧向扩大速率基本上不延缓对所述菌落的检测。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述有效量的钙螯合化合物基本上不延缓对原本在所述预定时间段内检测的存在的酵母微生物的检测。

14.根据权利要求13所述的方法，还包括计数所述生长区中宏观可检测的酵母菌落的数目。