[发明专利]光伏发电元件及其制造方法

权利要求书

1.一种异质结型的光伏发电元件，具有：

第1导电类型的晶体系半导体基板，具有第1主面与第2主面，光从所述第1主面入射；以及

第2导电类型半导体薄膜，具有与所述晶体系半导体基板不同的导电类型，以使得在所述晶体系半导体基板的所述第1或者第2主面形成pn结，并且

在所述晶体系半导体基板的所述第2主面上依次层叠有第1导电类型半导体薄膜、第1导电性半导体膜、第2导电性半导体膜，

所述光伏发电元件的特征在于，

在所述第1导电性半导体膜中含有具有与所述1导电性半导体膜的折射率不同的折射率的绝缘性微粒，第2导电性半导体膜的载流子浓度高于第1导电性半导体膜。

2.根据权利要求1所述的光伏发电元件，其特征在于，

所述第1导电类型半导体薄膜是具有与所述晶体系半导体基板相同的导电类型的第1导电类型非晶质系半导体薄膜，

所述第2导电类型半导体薄膜是具有与所述晶体系半导体基板不同的导电类型的第2导电类型非晶质半导体薄膜，

在所述第1导电类型非晶质系半导体薄膜上具有所述第1导电性半导体膜，

在所述第1导电性半导体膜上还具有所述第2导电性半导体膜。

3.根据权利要求2所述的光伏发电元件，其特征在于，

所述第1导电类型非晶质系半导体薄膜隔着本征的非晶质半导体薄膜层叠于所述晶体系半导体基板上，

所述第2导电类型非晶质系半导体薄膜隔着本征的非晶质半导体薄膜层叠于所述晶体系半导体基板上。

4.根据权利要求3所述的光伏发电元件，其特征在于，

所述第1导电类型非晶质系半导体薄膜形成于所述第2主面，

所述第2导电类型非晶质系半导体薄膜形成于所述第1主面。

5.根据权利要求3所述的光伏发电元件，其特征在于，

所述第1导电类型非晶质系半导体薄膜形成于所述第2主面的第1区域，

所述第2导电类型非晶质系半导体薄膜在所述第2主面设置于与所述第1区域邻接的第2区域。

6.根据权利要求2至5中的任一项所述的光伏发电元件，其特征在于，

包括以在所述第1导电性半导体膜上分布的方式层叠了的金属电极的图案，

所述第2导电性半导体膜以使外部连接区域保留而覆盖所述金属电极的方式形成。

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的光伏发电元件，其特征在于，

所述第1导电性半导体膜的载流子浓度是1×10¹⁶cm^-3以上且1×10¹⁹cm^-3以下，并且所述第2导电性半导体膜的载流子浓度是1×10¹⁹cm^-3以上且1×10²¹cm^-3以下。

8.根据权利要求2至7中的任一项所述的光伏发电元件，其特征在于，

在所述第1导电性半导体膜与所述第1导电类型非晶质系半导体薄膜之间具备第3导电性半导体膜，所述第3导电性半导体膜的载流子浓度处于1×10¹⁹cm^-3以上且5×10²⁰cm^-3的范围，并且所述第3导电性半导体膜的膜厚处于1nm以上且100nm以下的范围。

9.根据权利要求1至8中的任一项所述的光伏发电元件，其特征在于，

所述第2导电性半导体膜的载流子浓度高于第1导电性半导体膜的载流子浓度，并且第2导电性半导体膜的载流子浓度从第1导电性半导体的载流子浓度到1×10²¹cm^-3以下的载流子浓度，朝向表层倾斜地变化。

10.根据权利要求1至9中的任一项所述的光伏发电元件，其特征在于，

所述绝缘性微粒的直径是0.5μm以上且10μm以下，并且第1导电性半导体膜中包括的体积比例为10％以上且80％以下，针对具有900～1200nm的波长的光的反射率为40％以上。