[发明专利]制造堆栈裸片封装的方法有效

专利信息
申请号: 201480021718.7 申请日: 2014-03-11
公开(公告)号: CN105474384B 公开(公告)日: 2018-11-09
发明(设计)人: 凯尔·特里尔;郭芳村;毛森 申请(专利权)人: 维西埃-硅化物公司
主分类号: H01L23/12 分类号: H01L23/12
代理公司: 北京市磐华律师事务所 11336 代理人: 董巍;谢栒
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 制造 堆栈 封装 方法
【权利要求书】:

1.一种制造堆叠裸片封装的方法,包括:

将第一裸片的栅极和源极附接于引线框架,所述第一裸片包括位于所述第一裸片的第一表面上的所述栅极和所述源极以及位于与所述第一表面相对的所述第一裸片的第二表面上的漏极;

将第二裸片的源极耦合至所述第一裸片的所述漏极,所述第二裸片包括位于所述第二裸片的第一表面上的栅极和漏极以及位于与所述第一表面相对的所述第二裸片的第二表面上的所述源极;

将条带附接于所述引线框架和所述第二裸片的所述漏极,所述条带包括第一平台、第二平台以及位于所述第一平台和第二平台之间的倾斜部,所述第一平台位于所述第二平台之上;

执行包括用模塑料覆盖所述第一裸片、第二裸片和条带的模塑工艺,所述模塑工艺包括使用柔性薄膜以便所述条带的上表面的一部分无模塑料;以及

在电镀工艺期间阻止所述条带的所述上表面的所述一部分被电镀,所述条带的所述上表面的所述一部分被暴露在最终的封装中。

2.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:

耦合所述引线框架和所述第二裸片的所述栅极。

3.根据权利要求1所述的方法,其中所述条带的所述附接发生在所述第二裸片的所述源极的所述耦合之后。

4.根据权利要求1所述的方法,其中

所述第一裸片包括分离栅技术。

5.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:

将第二条带耦合至所述引线框架、所述第一裸片的所述漏极以及所述第二裸片的所述源极。

6.根据权利要求5所述的方法,进一步包括:

将第三条带耦合至所述引线框架和所述第二裸片的所述栅极。

7.根据权利要求5所述的方法,其中所述条带的所述附接发生在所述第二条带的所述耦合之后。

8.根据权利要求6所述的方法,其中所述条带的所述附接与所述第三条带的所述耦合同时发生。

9.一种制造堆叠裸片封装的方法,包括:

用焊膏将第一裸片的栅极和源极附接于引线框架,所述第一裸片包括位于所述第一裸片的第一表面上的所述栅极和所述源极以及位于与所述第一表面相对的所述第一裸片的第二表面上的漏极,所述第一裸片包括分离栅技术;

将第二裸片的源极耦合至所述第一裸片的所述漏极,所述第二裸片包括位于所述第二裸片的第一表面上的栅极和所述源极以及位于与所述第一表面相对的所述第二裸片的第二表面上的漏极;

用焊膏将条带附接于所述引线框架和所述第二裸片的所述漏极,所述条带包括第一平台、第二平台以及位于所述第一平台和第二平台之间的倾斜部分,所述第一平台位于所述第二平台之上;

执行包括用模塑料覆盖所述第一裸片、第二裸片和条带的模塑工艺,所述模塑工艺包括使用柔性薄膜以便所述条带的上表面的一部分无模塑料;以及

在电镀工艺期间阻止所述条带的所述上表面的所述一部分被电镀,所述条带的所述上表面的所述一部分被暴露在最终的封装中。

10.根据权利要求9所述的方法,其中所述条带的所述附接发生在所述第二裸片的所述源极的所述耦合之后。

11.根据权利要求9所述的方法,进一步包括:在电镀工艺期间,防止所述条带的所述上表面的所述部分被电镀。

12.根据权利要求11所述的方法,进一步包括:在所述防止之前,将第二条带耦合至所述引线框架和所述第二裸片的所述栅极。

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