[发明专利]包括沉积粉末形式的固体含有机硅的热熔融组合物和形成其封装件的用于制备光学组件的方法

权利要求书

1.一种用于制备光学组件的方法，包括：

将粉末形式的固体含有机硅的热熔融组合物沉积到光学器件的光学表面上；以及

由所述含有机硅的热熔融组合物形成基本上覆盖所述光学器件的所述光学表面的封装件。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述封装件的沉积和/或形成包括压缩模制、层压、挤出、流化床涂布、电泳沉积、注射模制、熔融加工、静电涂布、静电粉末涂布、静电流化床涂布、传递模制、磁刷涂布中的至少一个。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括将所述含有机硅的热熔融组合物沉积到基板上，其中所述光学器件机械联接到所述基板。

4.根据权利要求1所述的方法，其中将所述含有机硅的热熔融组合物沉积到所述光学表面上包括形成第一层，并且还包括将第二层中的含有机硅的热熔融组合物沉积到所述第一层的顶部。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述含有机硅的热熔融组合物是反应性的含有机硅的热熔融组合物。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述含有机硅的热熔融组合物是非反应性的含有机硅的热熔融组合物。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述含有机硅的热熔融组合物是树脂-线性含有机硅的热熔融组合物并且所述组合物包含相分离的富含树脂的相和相分离的富含线性物的相。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述树脂-线性组合物包含：

40至90摩尔％的式[R¹₂SiO_2/2]二甲硅烷氧基单元，

10至60摩尔％的式[R²SiO_3/2]三甲硅烷氧基单元，

0.5至35摩尔％的硅烷醇基团[≡SiOH]；

其中：

各R¹在每次出现时独立地为C₁至C₃₀烃基，

各R²在每次出现时独立地为C₁至C₂₀烃基；

其中：

所述二甲硅烷氧基单元[R¹₂SiO_2/2]以线性嵌段排列，每个线性嵌段具有平均10至400个二甲硅烷氧基单元[R₁²SiO_2/2]，

所述三甲硅烷氧基单元[R²SiO_3/2]以具有至少500g/mol的分子量的非线性嵌段排列，并且所述非线性嵌段的至少30％彼此交联并主要以纳米域聚集在一起，每个线性嵌段连接到至少一个非线性嵌段；以及

所述有机硅氧烷嵌段共聚物的分子量为至少20,000g/mol。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述含有机硅的热熔融组合物还包含一种或多种磷光体和/或填料。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述含有机硅的热熔融组合物是可固化的。

11.根据权利要求1所述的方法，还包括通过固化机制固化所述含有机硅的热熔融组合物。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述固化机制包括热熔融固化、湿固化、硅氢加成固化、缩合固化、过氧化物固化或基于点击化学的固化。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述固化机制通过固化催化剂催化。

14.一种制备光学组件的方法，包括：

相对于基板固定光学器件；以及

将粉末形式的固体含有机硅的热熔融组合物沉积到基板或所述光学器件的光学表面中的至少一个上。

15.根据权利要求14所述的方法，其中在沉积所述含有机硅的热熔体之前将所述光学器件固定到所述基板。

16.根据权利要求14所述的方法，其中沉积所述含有机硅的热熔融组合物基本上覆盖了所述基板的全部区域。

17.根据权利要求14所述的方法，其中沉积所述含有机硅的热熔融组合物基本上仅覆盖了所述基板的介于所述基板和所述光学器件之间的区域。