[发明专利]微晶格阻尼材料和可重复吸收能量的方法

权利要求书

1.一种阻尼材料，其包括：

由中空管的三维互联网络形成的微晶格；并且

其中，所述中空管由材料形成，并具有壁厚度和直径，所述壁厚度与直径的比例小于ε_y，其中ε_y表示形成所述中空管的材料的屈服应变材料特性，

其中，所述阻尼材料还包括两种材料，所述微晶格被部分压缩在所述两种材料之间，使得所述微晶格预载至3％～50％的应变。

2.如权利要求1所述的阻尼材料，其中，所述中空管由选自由金属、陶瓷和聚合物组成的组中的材料形成。

3.如权利要求1所述的阻尼材料，其还包括贴附至所述微晶格的约束层，所述微晶格与被阻尼的物体贴附。

4.如权利要求1所述的阻尼材料，其中，所述微晶格的阻尼系数(tanδ)大于0.05。

5.如权利要求1所述的阻尼材料，其中，所述微晶格的密度小于0.1g/cm³。

6.如权利要求1所述的阻尼材料，其中，所述微晶格的密度为10mg/cm³以下。

7.如权利要求1所述的阻尼材料，其中，所述微晶格在大于300℃的温度、低于-100℃的温度或在超过200℃跨度的温度范围能够工作进行阻尼。

8.如权利要求1所述的阻尼材料，其中，所述微晶格贴附至一个或多个面板。

9.一种通过可重复的能量吸收进行阻尼的方法，其包括以下步骤：

在具有互联中空管的网络且预载有3％～50％应变的微晶格中接收负载，所述微晶格通过被部分压缩在两种材料之间而预载有所述3％～50％应变，所述负载导致所述中空管和/或所述管交叉处的节点的弹性屈曲；和

移除负载，其导致微晶格减压，从而在移除负载后，所述微晶格恢复其原始形状；

其中，所述中空管具有壁厚度和直径，使得壁厚度与直径的比例小于ε_y，其中ε_y表示形成所述中空管的材料的屈服应变材料特性。

10.如权利要求9所述的方法，其中，所述中空管的直径为10μm～10cm。

11.一种约束层阻尼器，其包括：

由中空管的三维互联网络形成的微晶格，所述微晶格与被阻尼的物体贴附；以及

约束层，其与所述微晶格贴附，使得所述微晶格包夹在所述被阻尼的物体和所述约束层之间，所述微晶格预载至3％～50％的应变；

其中，所述中空管具有壁厚度和直径，使得壁厚度与直径的比例小于ε_y，其中ε_y表示形成所述中空管的材料的屈服应变材料特性。

12.一种振幅选择性阻尼材料，其包括：

需要阈值应力来引发屈曲和相伴的能量吸收的由中空管的三维互联网络形成的微晶格，

其中，所述中空管具有壁厚度和直径，使得壁厚度与直径的比例小于ε_y，其中ε_y表示形成所述中空管的材料的屈服应变材料特性，

其中，所述阻尼材料还包括两种材料，所述微晶格被部分压缩在所述两种材料之间，使得所述微晶格预载至3％～50％的应变。

13.一种各向异性阻尼材料，其包括：

由中空管的三维互联网络形成为提供各向异性阻尼特性的微晶格，

其中，所述中空管具有壁厚度和直径，使得壁厚度与直径的比例小于ε_y，其中ε_y表示形成所述中空管的材料的屈服应变材料特性，

其中，所述阻尼材料还包括两种材料，所述微晶格被部分压缩在所述两种材料之间，使得所述微晶格预载至3％～50％的应变。