[发明专利]形成与器件衬底耦合的埋藏的微电机结构的方法以及由此形成的结构有效
| 申请号： | 201480008678.2 | 申请日： | 2014-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN104995130B | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | R·巴斯卡兰 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00;H01L23/12 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 王英,陈松涛 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 器件 衬底 耦合 埋藏 微电机 结构 方法 以及 由此 | ||
1.一种结构，包括：
包括至少一个MEMS结构的第一衬底，其中所述第一衬底包括上部部分和下部部分；
直接设置于所述第一衬底的所述上部部分上的第一接合层；
设置于所述第一衬底的所述上部部分与所述第一衬底的所述下部部分之间的至少一个支柱结构，其中所述至少一个支柱结构与所述第一衬底的所述上部部分包括对于所述至少一个MEMS结构的密闭性密封；以及
设置于第二衬底的表面上的第二接合层，其中，所述第二接合层设置于所述第二衬底的器件层上，并且其中，所述第一接合层被直接结合到所述第二接合层。
2.根据权利要求1所述的结构，还包括：其中，所述第一接合层包括金属层或氧化层的其中之一。
3.根据权利要求1所述的结构，还包括：其中，所述至少一个MEMS结构包括共振器、致动器、陀螺仪、传感器、加速计和指南针的至少其中之一。
4.根据权利要求1所述的结构，还包括：其中，所述第一衬底包括单晶硅衬底。
5.根据权利要求1所述的结构，还包括：其中，所述第一衬底的所述上部部分与所述至少一个支柱结构包括外延材料。
6.根据权利要求1所述的结构，还包括：其中，所述第二衬底包括至少一个微电子管芯。
7.根据权利要求1所述的结构，还包括：其中，所述第一接合层与所述第二接合层之间的结合包括金属与金属结合或氧化物与氧化物结合的其中之一。
8.根据权利要求1所述的结构，还包括：其中，所述第二衬底包括高电压IC和RFIC的其中之一。
9.根据权利要求1所述的结构，还包括：其中，所述第一衬底包括绝缘体上硅衬底。
10.根据权利要求1所述的结构，还包括：其中，所述MEMS结构中的至少一个MEMS结构通过导电触点被耦合到所述器件层，所述导电触点被设置在所述器件层和所述MEMS结构内的个体器件结构的部分之间。
11.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第二衬底还包括CPU和存储器管芯的至少其中之一。
12.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第二衬底还包括芯片上系统的部分。
13.根据权利要求1所述的结构，还包括系统，所述系统包括：
通信地耦合到所述结构的总线；以及
通信地耦合到所述总线的eDRAM。
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