[发明专利]适用MIT技术的高温/过电流自动切断方法及应用该方法的开关

权利要求书

1.有关基于MIT(Metal-InsulatorTransition)元件的高温/过电流切断开关工作方法，

可包含基于CTS(criticaltemperatureswitch)电阻和参考电阻而作用于FET(fieldeffecttransistor)的FET电压计算阶段；

比较上述FET电压和临界电压高低的阶段；

上述FET电压高于临界电压时，决定上述FET处于开启(on)状态的阶段；及

上述FET电压低于临界电压时，决定上述FET处于关闭(off)状态的阶段，但

上述CTS为基于上述MIT元件工作的开关，上述

MIT元件为只在特定温度范围内具备金属性质之元件的高温/过电流自动切断方法。

2.第一项中，上述FET电压

可利用下列数学方程式计算。

<数学方程式>

以上V_gs为上述FET电压，上述V_source为上述电源电压，上述R_CTS为上述CTS电阻，上述R_ref是作为上述参考电阻的高温/过电流自动的切断开关。

3.第一项中，

上诉FET为N型MOSFET，

上述CTS是基于温度上升时电阻变化走势不同于温度下降时电阻变化走势的高温/过电流自动切断方法。

4.适用MIT(Metal-InsulatorTransition)技术的高温/过电流自动切断开关，

可包含基于上述MIT元件组成，只在特定温度范围内呈现金属性质而工作的CTS(criticaltemperatureswitch)；

基于与上述CTS电阻串联而输入的电源电压，为决定作用于上述CTS电阻上的CTS电压而使用的参照电阻；及

上述CTS两端分别连接于闸极与电源，比较上述CTS电压与临界电压，进而决定处于on/off状态的FET(field effecttransistor)，但

上述高温切断开关比较作为上述闸极和电源间电压的FET电压与临界电压的高低，上述FET电压高于临界电压时，使上述FET处于开启(on)状态，上述FET电压低于临界电压时，使FET处于关闭(off)状态的高温/过电流自动切断开关。

5.第四项中，上述FET电压

可利用下列数学方程式计算。

<数学方程式>

以上V_gs为上述FET电压，上述V_source为上述电源电压，上述R_CTS为上述CTS电阻，上述R_ref是作为上述参考电阻的高温/过电流自动切断开关。

6.第五项中，上述高温/过电流自动切断开关，

是与保护电池的保护IC(integratedcircuit)输入/输出端相连，

根据上述FET电压，决定是否供应电源的高温/过电流自动切断开关。

7.第五项中，上述高温/过电流自动切断开关，

是作用于控制电池保护IC(integratedcircuit)之FET的信号部位，进而根据FET电压，决定是否供应电源的高温/过电流自动切断开关。