[发明专利]试样保持件以及使用了该试样保持件的等离子体蚀刻装置

说明书

技术领域

本发明涉及试样保持件以及使用了该试样保持件的等离子体蚀刻装置。

背景技术

在半导体集成电路的制造工序或液晶显示装置的制造工序等中，作为用于保持半导体晶片等各试样的部件而已知试样保持件。作为试样保持件，可以列举出例如JP特开2005-286106号公报(以下称为专利文献1)中所记载的加热基板。专利文献1中所记载的加热基板具备陶瓷基体和形成在陶瓷基体的背面的发热体电路。加热基板将被加热物搭载于陶瓷基体的主面来使用。

但是，专利文献1中所记载的加热基板在热循环下，存在陶瓷基体与发热体电路之间产生热应力的情况。由此，发热体电路有可能从陶瓷基体剥离。结果，难以提高加热基板的长期可靠性。

发明内容

本发明的一方式的试样保持件特征在于，具备：基体，其由陶瓷构成，并在一个主面具有试样保持面；和发热电阻体，其设置于该基体的另一个主面，并包含玻璃成分，所述基体在所述发热电阻体的附近区域包含所述玻璃成分。

附图说明

图1是表示本发明的一实施方式的试样保持件以及使用了该试样保持件的等离子体蚀刻装置的剖面图。

图2是将图1所示的试样保持件的区域A进行了放大的部分放大剖面图。

图3是表示本发明的试样保持件的变形例的部分放大剖面图。

具体实施方式

以下，参照附图来说明本发明的一实施方式所涉及的试样保持件10以及使用了该试样保持件10的等离子体蚀刻装置100。

图1是表示本发明的一实施方式的试样保持件10以及使用了该试样保持件1的等离子体蚀刻装置100的剖面图。如图1所示，本发明的一实施方式的试样保持件10具备：基体1，其在一个主面具有试样保持面11；发热电阻体2，其设置于基体1的另一个主面；和吸附电极3，其设置于基体1的内部。在本实施方式中，“一个主面”是基体1的上表面，“另一个主面”对应于基体1的下表面。因此，以下中为了说明的方便，使用上表面以及下表面的措词来进行说明。另外，“一个主面”并不限定于上表面，根据基体1的朝向也可以是下表面或侧面等除了上表面以外的面。此外，“另一个主面”也不限定于下表面，同样根据基体1的朝向也可以是上表面或侧面等除了下表面以外的面。

基体1是在上表面具有试样保持面11的板状构件。基体1在上表面的试样保持面11，保持例如硅晶片等试样。试样保持件10是俯视时的形状为圆形的构件。基体1例如由氧化铝、氮化铝、氮化硅或氧化钇等的陶瓷材料构成。在基体1的下表面，设置有发热电阻体2。基体1的尺寸例如能够将直径设定为200～500mm，将厚度设定为2～15mm。

虽然作为使用基体1来保持试样的方法能够使用各种各样的方法，但本实施方式的试样保持件10通过静电力来保持试样。因此，试样保持件10在基体1的内部具备吸附电极3。吸附电极3由2个电极构成。2个电极中的一方与电源的正极连接，另一方与负极连接。2个电极分别形成为大致半圆板状，并配置于基体1的内部使得半圆的弦彼此对置。这2个电极合在一起，吸附电极3整体的外形成为圆形。该吸附电极3整体所成的圆形的外形的中心被设定为与相同的圆形的基体1的外形的中心相同。吸附电极3例如由钨或钼等金属材料构成。

发热电阻体2是用于对被保持于基体1的上表面的试样保持面11的试样进行加热的构件。发热电阻体2设置在基体1的下表面。通过对发热电阻体2施加电压，能够使发热电阻体2发热。由发热电阻体2所发出的热传到基体1的内部，到达基体1的上表面的试样保持面11。由此，能够对被保持于试样保持面11的试样进行加热。发热电阻体2为具有多个弯曲部的线状的图案，形成在基体1的下表面的大致整个面。由此，能够抑制在试样保持件10的上表面热分布产生偏差。

发热电阻体2包含导体成分以及玻璃成分。作为导体成分，例如包含银钯、铂、铝或金等金属材料。为了抑制玻璃成分起泡，作为金属材料，优选选择在大气中能够烧结的金属。此外，作为玻璃成分，包含硅、铝、铋、钙、硼以及锌等材料的氧化物。

在试样保持件10的温度控制中可以采用以下方法。具体来说，通过使热电偶接触基体1并测量电动势能够测量发热电阻体2的温度。此外，通过使测温电阻体接触基体1并测量电阻也能够测量发热电阻体2的温度。基于以上述方式测量出的发热电阻体2的温度，调整对发热电阻体2施加的电压，由此能够控制发热电阻体2的发热使得试样保持件10的温度恒定。