[实用新型]一种光电探测器

权利要求书

1.一种光电探测器，包括层叠设置的半绝缘InP衬底(1)和InP缓冲层(2)，所述InP缓冲层(2)上直接形成有不相连的第一电极(5)和InGaAs光敏层(3)，所述InGaAs光敏层(3)上层叠设置有InP帽层(4)和钝化层(8)，所述InP帽层(4)面积小于或等于所述InGaAs光敏层(3)的面积；所述钝化层(8)中开设有暴露所述InP帽层(4)部分区域的通孔，沿所述通孔内侧壁形成环形第二电极(6)，所述第二电极(6)的部分区域延伸至所述钝化层(8)的上部，形成搭接区；所述搭接区上部直接设置有电极引线(7)；

其特征在于，

沿所述通孔靠近所述搭接区的一侧的任一切线方向，形成有贯通所述InP缓冲层(2)、所述InGaAs光敏层(3)以及所述InP帽层(4)的沟道，沿所述InP衬底(1)的平行面方向，所述沟道将层叠设置的所述InP缓冲层(2)、所述InGaAs光敏层(3)以及所述InP帽层(4)分割为两部分。

2.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述沟道中填充有钝化材料。

3.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述第二电极(6)为透光电极。

4.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述钝化层(8)覆盖所述InGaAs光敏层(3)与所述InP帽层(4)的侧壁。

5.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述InP帽层(4)上还直接设置有至少覆盖所述第二电极(6)中央区域的减反层，用于减少所述InP帽层(4)的反射光线。