[实用新型]一种采用高导热基板的宝塔形多级半导体致冷器件

权利要求书

1.一种采用高导热基板的宝塔形多级半导体致冷器件，其特征在于：所述致冷器件呈宝塔状多级结构，包括多个基板及设于基板之间的半导体电偶对(1)和导流片(2)，所述基板包括从上到下尺寸逐次递增且相互叠合的上基板(3)、若干中间基板(4)和下基板(5)，所述多级半导体电偶对的冷端方向一致。

2.根据权利要求1所述的一种采用高导热基板的宝塔形多级半导体致冷器件，其特征在于：所述致冷器件中任意一级半导体电偶对数量多于其上级的半导体电偶对数量。

3.根据权利要求1所述的一种采用高导热基板的宝塔形多级半导体致冷器件，其特征在于：所述致冷器件中任意一级半导体电偶的外形尺寸大于或小于其上级的半导体电偶的外形尺寸。

4.根据权利要求1或2或3所述的一种采用高导热基板的宝塔形多级半导体致冷器件，其特征在于：所述致冷器件中任意一级半导体电偶的纵横间距大于或小于其上级的半导体电偶的纵横间距。

5.根据权利要求1所述的一种采用高导热基板的宝塔形多级半导体致冷器件，其特征在于：所述上基板(3)和下基板(5)均为氧化铝陶瓷基板，所述中间基板(4)为高导热的氮化铝或氧化铍陶瓷基板，中间基板材料的热导率大于100W/m℃。

6.根据权利要求1所述的一种采用高导热基板的宝塔形多级半导体致冷器件，其特征在于：所述中间基板(4)上设有通孔(6)，所述通孔内穿设有用于各级半导体电偶对电连接的电接杆，所述电接杆一端连接于中间基板正面的相应导流片，电接杆另一端连接于中间基板背面的相应导流片，各级半导体电偶对串联连接形成单回路工作电路。