[实用新型]精密DME地面台100W功放的高斯调制级放大电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种精密DME地面台100W功放的高斯调制级放大电路，该电路完成连续波信号的高斯调制，使得功放的发射频谱和检波波形参数满足系统要求。

背景技术

现有的高斯调制放大级采用microsemi公司的双极晶体管TAN15，在+40V供电情况下，该功放管的增益只有8dB，输出15W以上峰值功率，如果用于高斯调制，在最高高斯峰值工作电压20V的情况下的增益在5dB以下，这样如果频合输出的功率不够1W（比如说+28dBm，对于系统的频合单元来说是合格的），系统发射在某些频点输出功率小，非常难在宽带范围内满足系统输出峰值功率100W的需求，并且会恶化系统的发射波形指标，导致该款功放难于调试和生产。

发明内容

鉴于现有技术存在的不足，本实用新型提供了一种精密DME地面台100W功放的高斯调制级放大电路。目的是解决精密DME地面台整机生产中功放模块难于调试和互换性差的问题。

本实用新型为实现上述目的，所采用的技术方案是：一种精密DME地面台100W功放的高斯调制级放大电路，其特征在于：接口J1通过电容C1接功分器N1的1脚，功分器N1的2脚和5脚接地，3脚通过电阻R1接地，4脚通过电容C5分别接电阻R4、电容C8、电容C13的一端及放大管V2的栅极，电容C8和电容C13的另一端接地，电阻R4的另一端接分别接电容C17、电容C14、电容C9的一端及3.2V电源，电容C17、电容C14、电容C9的另一端分别接地，放大管V2的源极接地，放大管V2的漏极分别接电容C24、电容C29、电容C31、电容C22、电容C25、电容C58、电容C23、电容C26、电容C32、电容C30、电容C27的一端及放大管V3的漏极，电容C24、电容C29、电容C22、电容C25、电容C58、电容C23、电容C26、电容C30、电容C27的一端及放大管V3的源极分别接地，电容C31的另一端接功分器N3的6脚，电容C32的另一端接功分器N3的4脚，电容C58的另一端接地并为高斯信号输入端，放大管V3的栅极分别接电容C16、电容C11、电容C6及电阻R5的一端，电容C6的另一端接功分器N1的6脚，电阻R5的另一端分别接电容C18、电容C15、电容C10的一端及3.2V电源，电容C18、电容C15、电容C10的另一端接地，功分器N3的2脚和5脚接地，3脚通过电阻R6接地，1脚通过电容C33输出已调高斯信号。

本实用新型的有益效果是：采用新的LDMOS组成的高斯信号调制放大器替代旧的双极晶体管组成的高斯信号调制放大器，解决了发射通道难以闭环的问题，并且频率高端特性优于旧的功放，性能稳定可靠，易于调试和生产，成本也降低了约60%。

附图说明

图1为本实用新型的电路原理图；

图2为现有技术的DME地面台100W功放电路原理图。

具体实施方式

如图1所示，一种精密DME地面台100W功放的高斯调制级放大电路，具体电路连接为：接口J1通过电容C1接功分器N1的1脚，功分器N1的2脚和5脚接地，3脚通过电阻R1接地，4脚通过电容C5分别接电阻R4、电容C8、电容C13的一端及放大管V2的栅极，电容C8和电容C13的另一端接地，电阻R4的另一端接分别接电容C17、电容C14、电容C9的一端及3.2V电源，电容C17、电容C14、电容C9的另一端分别接地，放大管V2的源极接地，放大管V2的漏极分别接电容C24、电容C29、电容C31、电容C22、电容C25、电容C58、电容C23、电容C26、电容C32、电容C30、电容C27的一端及放大管V3的漏极，电容C24、电容C29、电容C22、电容C25、电容C58、电容C23、电容C26、电容C30、电容C27的一端及放大管V3的源极分别接地，电容C31的另一端接功分器N3的6脚，电容C32的另一端接功分器N3的4脚，电容C58的另一端接地并为高斯信号输入端，放大管V3的栅极分别接电容C16、电容C11、电容C6及电阻R5的一端，电容C6的另一端接功分器N1的6脚，电阻R5的另一端分别接电容C18、电容C15、电容C10的一端及3.2V电源，电容C18、电容C15、电容C10的另一端接地，功分器N3的2脚和5脚接地，3脚通过电阻R6接地，1脚通过电容C33输出已调高斯信号。

技术指标：

（1）工作频率范围：979MHz～1143MHz。

（2）输出峰值功率：大于160W。

（3）脉冲上升时间：（0.8-1.5）μs。