[实用新型]一种漏电检测电路有效

专利信息
申请号: 201420818520.9 申请日: 2014-12-19
公开(公告)号: CN204347172U 公开(公告)日: 2015-05-20
发明(设计)人: 吕树敏 申请(专利权)人: 天津市兴川科技有限公司
主分类号: G01R31/02 分类号: G01R31/02;G01R19/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 300203 *** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 漏电 检测 电路
【说明书】:

技术领域

本实用新型属于检测电路技术领域,尤其涉及一种漏电检测电路。

背景技术

在开关电源领域中,尤其是输出高压的电源,出于保证设备与使用人员的安全等原因,对漏电流有严格限制,有些设备要求在设备每次开机前应进行漏电检测。

目前漏电流检测主要依靠漏电流传感器,将输出正、负两根母线穿过漏电流传感器,若流过两母线上的电流不相等,则认为存在漏电。此方没有与被测电源有效隔离,该部分电路一旦失效,可能导致整个电源无法正常工作。

发明内容

本实用新型提供一种漏电检测电路,以解决上述背景技术中目前的漏电流检测,没有与被测电源有效隔离的问题。

本实用新型所解决的技术问题采用以下技术方案来实现:本实用新型提供一种漏电检测电路,其特征在于:包括输入端J1、输出端J2、隔离电路、漏电检测电路,所述隔离电路包括光电耦合器U1、光电耦合器U2、电阻R3、电阻R1、电阻R2、电容C1、二极管D1,所述光电耦合器U1的引脚1接光电耦合器U2的引脚1、电容C1的一端、二极管D1的阳极,其引脚2接电阻R3的一端,其引脚3接地,其引脚4接电阻R2的一端、三极管Q1的集电极,所述光电耦合器U2的引脚2接电容C1的另一端、二极管D1的阴极、三极管Q3的集电极,其引脚3接电阻R1的一端,其引脚4接电阻R2的另一端且接电压+12V,所述电阻R3的另一端接输入端J1的引脚2,所述输入端J1的引脚1接地,所述电阻R1的另一端接三极管Q1的基极且都接地,所述漏电检测电路包括放大器U3、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、二极管D3、发光二极管D2、电阻R4、电容C2,所述放大器U3的引脚1接电阻R4的一端、电容C2的一端,其引脚2接电容C2的另一端、三极管Q1的发射极,其引脚3接三极管Q3的发射极,所述三极管Q3的基极接二极管D3的阳极,所述二极管D3的阴极接发光二极管D2的阴极且都接地,所述电阻R4的另一端接三极管Q2的基极,所述三极管Q2的发射极接发光二极管D2的阳极,其集电极接输出端J2。

所述放大器U3选用比较放大器。

所述三极管Q1选用NPN三极管。

所述输入端J1选用待测电源设备。

本实用新型的有益效果为: 

1本专利的隔离电路采用两个光电耦合器的设计,将检测电路与待测电源设备完全隔离,不影响待测设备电源漏电检测的正常工作,其可靠性高,解决当主电路一旦失效,可能导致整个电源无法正常工作的问题。

2本专利采用二极管D1和电容C1的设计,利用二极管的单向导电性防止漏电检测电路因待测设备电源关机后立即重新上电形成瞬间短路被损坏,提高可靠性。

3本专利的漏电检测电路通过比较放大器U3来比较电路中的电压是否正常,进而来确定是否漏电,其检测精度高。

4本专利的结构简单,电路易实现,各元器件相对比较便宜,制造成本低,使用较少的元器件就能实现漏电检测,体积小,大大降低成本,易集成,性价比较高,应用范围广。

附图说明

图1是本实用新型的电路原理图。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型做进一步描述:

实施例:

本实施例包括:输入端J1、输出端J2、隔离电路、漏电检测电路,如图1所示。

隔离电路包括光电耦合器U1、光电耦合器U2、电阻R3、电阻R1、电阻R2、电容C1、二极管D1,光电耦合器U1的引脚1接光电耦合器U2的引脚1、电容C1的一端、二极管D1的阳极,其引脚2接电阻R3的一端,其引脚3接地,其引脚4接电阻R2的一端、三极管Q1的集电极,光电耦合器U2的引脚2接电容C1的另一端、二极管D1的阴极、三极管Q3的集电极,其引脚3接电阻R1的一端,其引脚4接电阻R2的另一端且接电压+12V,电阻R3的另一端接输入端J1的引脚2,输入端J1的引脚1接地,电阻R1的另一端接三极管Q1的基极且都接地,

漏电检测电路包括放大器U3、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、二极管D3、发光二极管D2、电阻R4、电容C2,放大器U3的引脚1接电阻R4的一端、电容C2的一端,其引脚2接电容C2的另一端、三极管Q1的发射极,其引脚3接三极管Q3的发射极,三极管Q3的基极接二极管D3的阳极,二极管D3的阴极接发光二极管D2的阴极且都接地,电阻R4的另一端接三极管Q2的基极,三极管Q2的发射极接发光二极管D2的阳极,其集电极接输出端J2。

利用本实用新型所述的技术方案,或本领域的技术人员在本实用新型技术方案的启发下,设计出类似的技术方案,而达到上述技术效果的,均是落入本实用新型的保护范围。

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