[实用新型]能够抵抗双节点翻转的触发器结构有效

专利信息
申请号: 201420807351.9 申请日: 2014-12-17
公开(公告)号: CN204334529U 公开(公告)日: 2015-05-13
发明(设计)人: 姚素英;闫茜;徐江涛;聂凯明;史再峰;高静;高志远 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 刘国威
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 能够 抵抗 节点 翻转 触发器 结构
【权利要求书】:

1.一种能够抵抗双节点翻转的触发器结构,其特征是,包括:12个传输门TG1~12、10个反相器INV1~10、3个二输入保护门DIG1~3和一个三输入保护门TIG;输入D分别通过TG1~3后的节点分别为A1、A2、A3,A1、A2、A3节点各自对应经过反相器INV1~3后分别通过开关TG7~9后的节点定义为B1、B2、B3;INV1接INV4再接TG4反馈连至A1节点,INV2接INV5再接TG5反馈连至A2节点,INV3接INV6再接TG6反馈连至A3节点;B1、B2作为DIG1的两个输入信号,DIG1的输出端为C1,C1经由INV7和TG10反馈连至B1;B2、B3作为DIG2的两个输入信号,DIG2的输出端为C2,C2经由INV8和TG11反馈连至B2;B1、B3作为DIG3的两个输入信号,DIG3的输出端为C3,C3经由INV9和TG12反馈连至B3;C1、C2、C3共同作为三输入保护门TIG的输入端,TIG的输出为NQ,经过一个反相器INV10输出Q。

2.如权利要求1所述的能够抵抗双节点翻转的触发器结构,其特征是,二输入保护门的结构是,两个PMOS和两个NMOS串联,PM1和PM2串联,NM1和NM2串联,PM1的源级接VDD,PM2的漏极接NM2的漏极,NM1的源级接GND,PM1和NM1的栅极作为一个输入A,PM2和NM2的栅极作为另一个输入B,PM2和NM2的漏极作为输出O;DIG在两个输入不相同的时输出为高阻态;在两个输入信号相同时,二输入保护门的功能与反相器的功能一致。

3.如权利要求1所述的能够抵抗双节点翻转的触发器结构,其特征是,三输入保护门结构为:使用三个PMOS管PM4、PM5、PM6串联,三个NMOS管NM4、NM5、NM6串联;PM4的源级接VDD,PM6的漏极接NM6的漏极,NM4的源级接GND,PM4和NM4的栅极作为一个输入A,PM5和NM5的栅极作为另一个输入B,PM6和NM6的栅极作为另一个输入C,PM6和NM6的漏极作为输出O,TIG在三个输入不相同的时输出为高阻态,在三个输入信号相同时,三输入保护门功能与反相器的功能一致。

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