[实用新型]一种制冷设备的保护电路

权利要求书

1.一种制冷设备的保护电路，包括降压整流电路、欠压控制电路、延时电路和可控硅触发电路，其特征在于，所述的降压整流电路与欠压控制电路连接，降压整流电路还与延时电路连接，延时电路与可控硅触发电路连接。

2.根据权利要求1所述的一种制冷设备的保护电路，其特征在于，所述的降压整流电路，包括电容C1、电阻R1、整流桥BR1、电容C2、和电阻R2、稳压管D1和电容C3，所述电容C1的一端连接交流电的火线，电容C1的另一端连接电阻R1的一端，电阻R1的另一端连接电容C1的一端，电阻R1的一端连接整流桥BR1的一交流输入端，交流电的零线连接整流桥BR1的另一交流输入端，整流桥BR1的一直流输出端连接电容C2的一端，电容C2的另一端接地GND，整流桥BR1的一直流输出端还连接电阻R2的一端，电阻R2的另一端连接稳压二极管D1的负极，稳压二极管D1的正极接地GND，电阻R2的另一端还连接电容C3的一端，电容C3的另一端接地GND。

3.根据权利要求1所述的一种制冷设备的保护电路，其特征在于，所述欠压控制电路，包括齐纳二极管D3、齐纳二极管D4、三极管Q1、三极管Q2和三极管Q3，所述齐纳二极管D3的负极连接电阻R2的另一端，齐纳二极管D3的正极连接电阻R6的一端，电阻R6的另一端接地GND，齐纳二极管D3的正极还连接电阻R7的一端，电阻R7的另一端连接三极管Q1的基极，三极管Q1的发射极接地GND，三极管Q1的集电极连接电阻R8的一端，电阻R8的另一端连接电阻R2的另一端，三极管Q1的集电极还连接三极管Q2的基极，三极管Q2的发射极接地GND，三极管Q2的集电极连接电阻R9的一端，电阻R9的另一端连接电阻R2的另一端，三极管Q2的集电极连接齐纳稳压管D4的负极，齐纳稳压管D4的正极接地GND，齐纳稳压管D4的负极连接三极管Q3的基极，三极管Q3的集电极连接电阻R10的一端，电阻R10的另一端连接电阻R10的另一端连接电阻R2的另一端，三极管Q3的发射极为出线端VO。

4.根据权利要求1所述的一种制冷设备的保护电路，其特征在于，所述延时电路，包括芯片U1、稳压二极管D2和滑动变阻器RV1，所述芯片U1的1引脚接地GND，芯片U1的6引脚连接稳压二极管D2的负极，稳压二极管D2的正极接地GND，芯片U1的6引脚还连接滑动变阻器RV1的最小值端，滑动变阻器RV1的滑动触头连接滑动变阻器RV1的最大值端，滑动变阻器RV1的最大值端连接电阻R3的一端，电阻R3的另一端接地GND，芯片U1的6引脚连接电容C5的一端，电容C5的另一端连接电阻R2的另一端，芯片U1的2引脚连接稳压二极管D1的负极，芯片U1的3引脚为出线端Vout，芯片U1的4引脚和8引脚都连接电阻R2的另一端，芯片U1的5引脚连接电容C4的一端，电容C4的另一端接地GND。

5.根据权利要求1所述的一种制冷设备的保护电路，其特征在于，所述可控硅触发电路，包括单向可控硅触发器U2、电阻R5、电阻R4、电容C6和三孔插座J1，所述的单向可控硅触发器U2的G引脚连接电阻R4的一端，电阻R4的另一端为出线端Vout，单向可控硅触发器U2的A1引脚连接电容C6的一端，电容C6的另一端连接电阻R5的一端，电阻R5的另一端接地GND，电容C6的一端连接插孔J1的3引脚，插孔J1的2引脚连接交流电的火线，插孔J1的1引脚接地GND。