[实用新型]一种具有高反射电极的LED芯片有效
| 申请号： | 201420638989.4 | 申请日： | 2014-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN204118110U | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 易翰翔;郝锐;吴魁;黄惠葵 | 申请（专利权）人： | 广东德力光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;H01L33/46;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 529000 *** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 反射 电极 led 芯片 | ||
1.一种具有高反射电极的LED芯片，包括生长在衬底上的n型半导体层、多量子阱有源区和p型半导体层，n型半导体层制作有n型电极，p型半导体层上制作p型电极，其特征在于：所述的p型电极包括依次制作在p型半导体层上的透明导电层、粘附性电流阻挡层、金属反光层、金属粘附层、金属接触层和绝缘保护层。
2.根据权利要求1所述的具有高反射电极的LED芯片，其特征在于：所述的绝缘保护层包覆在透明导电层、粘附性电流阻挡层、金属反光层、金属粘附层、金属接触层外侧，且绝缘保护层经蚀刻暴露出金属接触层。
3.根据权利要求1或2所述的具有高反射电极的LED芯片，其特征在于：所述透明导电层是ITO或ZnO制成的透明导电层。
4.根据权利要求1或2所述的具有高反射电极的LED芯片，其特征在于：所述粘附性电流阻挡层是Al2O3制成的粘附性电流阻挡层。
5.根据权利要求1或2所述的具有高反射电极的LED芯片，其特征在于：所述金属反光层为Al或Ag制成的金属反光层。
6.根据权利要求1或2所述的具有高反射电极的LED芯片，其特征在于：所述金属粘附层为Ti、Cr、Pt、Ni中的一种材料制成的金属粘附层。
7.根据权利要求1或2所述的具有高反射电极的LED芯片，其特征在于：所述金属接触层为Au制成的金属接触层。
8.根据权利要求1或2所述的具有高反射电极的LED芯片，其特征在于：所述绝缘保护层为SiO2、Al2O3、SiON中的一种材料制成的绝缘保护层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东德力光电有限公司，未经广东德力光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420638989.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种玻璃窑温度控制系统
- 下一篇：一种环境数据多点实时采集系统
