[实用新型]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括：

第一导电型半导体层，包括第一下导电型半导体层和第一上导电型半导体层；

V-坑，穿过第一上导电型半导体层的至少一部分；

第二导电型半导体层，位于第一导电型半导体层上并填充V-坑；以及

活性层，插入在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间，V-坑穿过活性层，

其中，第一上导电型半导体层具有比第一下导电型半导体层的缺陷密度高的缺陷密度，并且第一上导电型半导体层包括包含V-坑的起点的V-坑产生层。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，第一上导电型半导体层还包括位于V-坑产生层上的超晶格层。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，V-坑的宽度由于超晶格层的晶格常数大于低温生长层的晶格常数导致的压缩应变而增加。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，V-坑产生层和超晶格层掺杂有铟。

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，第一上导电型半导体层还包括插入在V-坑产生层和超晶格层之间的低温生长掺杂层和/或位于超晶格层上的低浓度掺杂层。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，V-坑的上部宽度与V-坑产生层的厚度成比例。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，V-坑产生层是未掺杂的GaN层。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，V-坑产生层掺杂有铟。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，V-坑产生层具有AlInGaN基氮化物半导体层和AlGaN基氮化物半导体层彼此交替地堆叠的结构。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置 还包括：

低浓度掺杂层，插入在V-坑产生层和活性层之间；以及

高浓度势垒层，插入在低浓度掺杂层和活性层之间，并且用Si掺杂。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，低浓度掺杂层的掺杂浓度低于高浓度势垒层和第一下导电型半导体层的掺杂浓度，以形成电容器。

12.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还包括：

低浓度超晶格层，插入在低浓度掺杂层和高浓度势垒层之间。

13.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，低浓度超晶格层的掺杂浓度等于或低于低浓度掺杂层的掺杂浓度。

14.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，V-坑与高浓度势垒层交叉，从而高浓度势垒层具有三维形状。

15.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还包括：

高电阻填充层，插入在活性层和第二导电型半导体层之间，并填充V-坑。

16.根据权利要求15所述的半导体装置，其特征在于，高电阻填充层具有未掺杂层和掺杂层交替地堆叠一次或更多次的结构，从而空穴通过V-坑的内倾斜表面被注入到活性层中。

17.根据权利要求16所述的半导体装置，其特征在于，未掺杂层是uAlGaN层，掺杂层是p型氮化物半导体层。

18.根据权利要求16所述的半导体装置，其特征在于，未掺杂层是uGaN层，掺杂层是p型氮化物半导体层。

19.根据权利要求16所述的半导体装置，其特征在于，未掺杂层和掺杂层交替地堆叠三次。

20.根据权利要求15所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还包括：

电子阻挡层，插入在活性层和高电阻填充层之间，并且填充V-坑的一部分，

其中，高电阻填充层填充V-坑的剩余部分。