[实用新型]一种小电流高压硅堆清洗装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种高压硅堆加工装置，特别涉及一种小电流高压硅堆清洗装置。

背景技术

高压硅堆由多只高压整流二极管（硅粒）串联组成，是高压整流中将交流变成直流必不可少的原件。由于高压整流是以阴极射线扫描的方式呈现图像的屏幕（包括老式电视机，电脑屏幕）中必不可少的部分。有很多厂家生产高压硅堆。电压从1KV~1000KV; 电流从1mA~100A不等。

    目前，在行业生产中，对于电流在350mA以上的高压硅堆称为大电流高压硅堆。对于大电流高压硅堆在生产的过程中，会有一道焊接工序，而在焊接工序后，在大电流高压硅堆表面长会附着有焊油、灰尘、水汽等杂质，如果直接将这样的高压硅堆作为成品使用，会对其耐久性、可靠性等性能造成影响，因此研究出一种小电流高压硅堆清洗装置以去除其表面的杂质势在必行。

发明内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种能够很好的将高压硅堆表面的杂质清洗的小电流高压硅堆清洗装置。

为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案为：一种小电流高压硅堆清洗装置，其创新点在于：包括机架、清洗池、机械臂及移动导轨；

所述清洗池、机械臂及移动导轨均安装在机架的内部，且机械臂及移动导轨位于清洗池的上端，所述移动导轨沿着机架的长轴方向延伸，机械臂安装在移动导轨上，并且沿着移动导轨的延伸方向进行移动；

所述清洗池包括依次设置的混酸清洗池、一级混酸溢水清洗池、二级混酸溢水清洗池、稀HNO清洗池、稀HNO溢水清洗池、稀HF清洗池、一级稀HF溢水清洗池及二级稀HF溢水清洗池。

进一步的，所述机架上还安装有清水喷嘴，所述清水喷嘴有数个，均匀安装在清洗池的两端。

本实用新型的优点在于：利用本装置对焊接后的大电流高压硅堆进行清沟，可以很好的去除附着在高压硅堆表面的焊油、水汽等杂质，相应的增加其耐久性及可靠性；在清洗池的旁侧设置清水喷嘴可供人员清洗，防止其沾染上酸性溶液而得不到及时的清洗。

附图说明

图1为本实用新型的小电流高压硅堆清洗装置的示意图。

具体实施方式

如图1所示的示意图可知，本实用新型的小电流高压硅堆清洗装置包括机架3、清洗池、机械臂1及移动导轨2。

清洗池、机械臂1及移动导轨2均安装在机架3的内部，且机械臂1及移动导轨2位于清洗池的上端，移动导轨2沿着机架3的长轴方向延伸，机械臂1安装在移动导轨2上，并且沿着移动导轨2的延伸方向进行移动。

在机架3上还安装有清水喷嘴12，清水喷嘴12有数个，均匀安装在清洗池的两端。

清洗池包括混酸清洗池4、一级混酸溢水清洗池5、二级混酸溢水清洗池6、稀HNO清洗池7、稀HNO溢水清洗池8、稀HF清洗池9、一级稀HF溢水清洗池10及二级稀HF溢水清洗池11，混酸清洗池4、一级混酸溢水清洗池5、二级混酸溢水清洗池6、稀HNO清洗池7、稀HNO溢水清洗池8、稀HF清洗池9、一级稀HF溢水清洗池10及二级稀HF溢水清洗池11沿着移动导轨2的延伸方向呈一字型依次排布。

在利用本清洗装置进行清洗时，主要包括以下机构步骤：

第一步，首先，利用机械臂将高压硅堆放入混酸溶液中清洗，同时，在清洗的过程中，机械臂自动摆动，以方便高压硅堆能够充分与混酸溶液接触。

第二步，将经过混酸清洗后的高压硅堆放入溢水中清洗，同时，在清洗的过程中，机械臂自动摆动，以除去高压硅堆表面的混酸溶液。

本步骤中的，溢水清洗一共有两道清洗工序，分别为一级溢水清洗及二级溢水清洗。 

第三步，然后，再利用机械臂将高压硅堆放入稀HNO溶液中进行清洗，同时，在清洗的过程中，机械臂自动摆动，以方便高压硅堆能够充分与稀HNO溶液接触。

第四步，将经过稀HNO清洗后的高压硅堆放入溢水中清洗，同时，在清洗的过程中，机械臂自动摆动，以除去高压硅堆表面的稀HNO溶液。

本步骤中的，溢水清洗为一道清洗工序。

第五步，最后，利用机械臂将高压硅堆放入稀HF中清洗，同时，在清洗的过程中，机械臂自动摆动，以方便高压硅堆能够充分与稀HF溶液接触。 

第六步，将经过稀HF清洗后的高压硅堆放入溢水中清洗，同时，在清洗的过程中，机械臂自动摆动，以除去高压硅堆表面的稀HF溶液。

本步骤中的溢水清洗一共有两道清洗工序，分别为一级溢水清洗及二级溢水清洗。

第七步，最后，将高压硅堆放入甩干机中进行脱水处理，完成清洗。

   以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。