[实用新型]一种背照式图像传感器像素结构有效
| 申请号： | 201420508898.9 | 申请日： | 2014-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN204179082U | 公开（公告）日： | 2015-02-25 |
| 发明（设计）人： | 郭同辉;旷章曲 | 申请（专利权）人： | 北京思比科微电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 郑立明;赵镇勇 |
| 地址： | 100085 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 背照式 图像传感器 像素 结构 | ||
1.一种背照式图像传感器像素结构，包括光电二极管、电荷传输晶体管、复位晶体管、源跟随晶体管、选择晶体管、漂浮有源区，其特征在于，所述复位晶体管、源跟随晶体管、选择晶体管制作在半导体基体的正面，所述电荷传输晶体管制作在半导体基体的内部，所述光电二极管制作在晶体管器件下方的半导体基体中；
所述电荷传输晶体管的沟道包括漂浮有源区、N型离子区、光电二极管N型区三部分，三部分相互接触，并且N型离子区位于漂浮有源区下方，光电二极管N型区位于N型离子区下方；
相邻像素的光电二极管之间设置有P型离子隔离区。
2.根据权利要求1所述的背照式图像传感器像素结构，其特征在于，所述光电二极管N型区距离半导体基体表面大于等于0.6um，所述电荷传输晶体管的栅极多晶硅在半导体基体中的深度为0.4um～1um，所述电荷传输晶体管的栅极多晶硅在半导体基体中的宽度大于等于漂浮有源区的宽度，所述电荷传输晶体管的栅极多晶硅在半导体基体中的厚度为0.1um～0.2um。
3.根据权利要求2所述的背照式图像传感器像素结构，其特征在于，所述光电二极管为N型光电二极管，所述电荷传输晶体管、复位晶体管、源跟随晶体管、选择晶体管为N型晶体管。
4.根据权利要求3所述的背照式图像传感器像素结构，其特征在于，所述光电二极管N型区与电荷传输晶体管的沟道的交叠区小于等于0.2um，并且与相邻像素的电荷传输晶体管的栅极的距离至少0.1um；
所述P型离子隔离区位于电荷传输晶体管栅极多晶硅下方，所述P型离子隔离区深度大于等于1.5um，宽度为0.1um～0.3um；
所述光电二极管N型区与P型离子隔离区的距离大于等于0.05um。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
