[实用新型]一种紧凑型布局的薄膜沉积设备有效
申请号: | 201420482962.0 | 申请日: | 2014-08-25 |
公开(公告)号: | CN204144225U | 公开(公告)日: | 2015-02-04 |
发明(设计)人: | 吴凤丽;姜崴;陈英男 | 申请(专利权)人: | 沈阳拓荆科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人: | 甄玉荃;霍光旭 |
地址: | 110179 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 紧凑型 布局 薄膜 沉积 设备 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种薄膜沉积设备,特别是一种可通过多边形组件组合成的紧凑型布局的薄膜沉积设备,属于半导体薄膜沉积应用及制造技术领域。
背景技术
半导体镀膜设备大都需要设备前端模块用于放置晶圆,并由传片腔进行晶圆的传送及反应腔进行的薄膜沉积。但现有半导体镀膜设备大都由矩形或近似矩形模块组成,按功能排布后所占空间较大,设备有很多空余空间无法充分利用。半导体镀膜设备需要在颗粒度满足要求的洁净环境下使用,占地面积大,则所需洁净间的运行成本增加,设备多余空间的存在,使洁净间环境没有被充分利用,浪费洁净间资源及成本。
发明内容
本实用新型以解决上述问题为目的,主要解决现有半导体薄膜沉积设备体积庞大,占地空间大及洁净间资源浪费等问题。
为实现上述目的,本实用新型采用下述技术方案:一种紧凑型布局的薄膜沉积设备,包括晶圆存储组件(1),在晶圆存储组件(1)中放置晶圆,作为晶圆传入、传出过程中的堆栈及存储区域,主传片室(2)中设有传片机械手(3),由机械手(3)进行从晶圆存储组件(1)取送片或从副传片室(4)取送片操作,副传片室(4)中有直线式传输机构对反应室(5)进行晶圆的取送片操作。并可根据不同工艺流程要求挂载其他形式或功能的腔室。本实用新型采用具有特定功能的多边形组件,紧凑排布形式。
上述晶圆存储组件(1)、主传片室(2)及副传片室(4)可设计成四边形或五边形或六边形。
依据多边形模块紧凑型布局方式制定的特有的折线式流片方式,传片路径为送片路径与取片路径相同,沉积反应完成后晶圆按送片路径原路返回,各腔室及晶圆独立流片,避免了公共路径过多造成颗粒物问题影响过大,即便一个流片路径出现颗粒物问题,另一路径可不受影响独立流片。折线式流片方式有利于缩短传片路径,提高生产效率及节约成本。
本实用新型的有益效果及特点:采用模块化设计理念,多边形组件合理布局,结构紧凑,通过对各组件所需最小空间尺寸的计算,整合各模块配合方式,可以有效的减少占地面积,节约洁净间成本。还可以根据不同的工艺制程要求挂载不同形式及功能的模块组件,增强组件的自由性及互换性。在布局紧凑的基础上,采取独特的折线式流片方式,提高效率,节约成本。
附图说明
图1是本实用新型各模块布局示意图。
图2是机械手去晶圆存储组件取送片示意图。
图3是机械手去副传片室取送片示意图。
图4是晶圆传输路径示意图。
图中零件标号分别代表:
1、晶圆存储组件;2、主传片室;3、传片机械手;4、副传片室;5、反应室;6、晶圆传输路径。
具体实施方式
实施例
如图1所示,一种紧凑型布局的薄膜沉积设备,该设备中晶圆存储组件1、主传片室2、副传片室4及反应室5等组件以其独有的多边形结构紧凑排布。在晶圆存储组件1中放置晶圆,作为晶圆传入、传出过程中的堆栈及存储区域,主传片室2中设有传片机械手3,由机械手3进行从晶圆存储组件1取送片或从副传片室4取送片操作,副传片室4中有直线式传输机构对反应室5进行晶圆的取送片操作。并可根据不同工艺流程要求挂载其他形式或功能的腔室。本专利采用具有特定功能的多边形组件,紧凑排布形式。
上述晶圆存储组件1为四边形;主传片室2为五边形;副传片室4为四边形。
工作时(参照图2-4),将装满待沉积的晶圆安置在晶圆存储组件1上,按照晶圆传输路径6的方向,主传片室2中的传片机械手3将待沉积晶圆从晶圆存储组件1中取出,并将其送往副传片室4,副传片室4中直线式传输机构将晶圆送往反应室5进行薄膜的沉积。当沉积完成后,副传片室4中直线式传输机构将晶圆从反应室5中取出,传片机械手3再将副传片室4中已取出的沉积后的晶圆送往晶圆存储组件1中,如上为一个传片周期。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造