[实用新型]一种白光LED芯片

权利要求书

1.一种白光LED芯片，其特征在于，包括一LED芯片和一用于转换光色的预制成型的光转换层，所述光转换层设有一容纳所述LED芯片的安装腔体，所述LED芯片的四个侧面和出光面均被所述安装腔体包裹。 

2.根据权利要求1所述的白光LED芯片，其特征在于：所述光转换层的厚度为100微米-1000微米。 

3.根据权利要求1所述的白光LED芯片，其特征在于：所述光转换层的材料包括陶瓷基、硅胶、环氧树脂、或玻璃中一种或多种。 

4.根据权利要求1或2所述的白光LED芯片，其特征在于：所述光转换层的安装腔体的长和宽的面积为LED芯片的长和宽的面积的1.0-1.2倍，其高度小于或等于光转换层厚度的30％。 

5.根据权利要求1所述的白光LED芯片，其特征在于：所述安装腔体内表面设有定位图案，所述白光LED芯片包括贴倒装型LED芯片、贴正装型LED芯片和贴垂直型LED芯片；所述贴倒装型LED芯片的安装腔体内表面设有十字形、方形或圆形开槽；所述贴正装型LED芯片的安装腔体内表面设有多于2个的方形、圆形或十字形的开孔；所述贴垂直型LED芯片的安装腔体内表面设有多于1个的方形、圆形或十字形的开孔。 

6.根据权利要求5所述的白光LED芯片，其特征在于： 

所述白光LED芯片为贴倒装型LED芯片，其包括外延衬底层、生长在所述外延衬底层上表面的N型氮化镓层、生长在所述N型氮化镓层部分上表面的发光层、生长在所述N型氮化镓层部分上表面的N型欧姆接触层、生长在所述发光层上表面的P型氮化镓层和生长在所述P型氮化镓层部分上表面的P型欧姆接触层，在所述P型氮化镓层、P型欧姆接触层、N型氮化镓层和N型欧姆接触层上表面还设置有绝缘层，在所述P型欧姆接触层上表面的绝缘层上开设有第一通孔，在所述N型欧姆接触层上表面的绝缘层上开设有第二通孔，在所述绝缘层上表面分别独立设置有P电极键合层和N电极键合层，所述P电极键合层贯穿第一通孔与P型欧姆接触层电连接，所述N电极键合层贯穿第二通孔与N型欧姆接触层电连接。 

7.根据权利要求5所述的白光LED芯片，其特征在于： 

所述白光LED芯片为垂直型LED芯片，其包括金属衬底层、键合在所述金属衬底层上表面的P型氮化镓层、生长在所述P型氮化镓层部分上表面的发光层、生长在所述发光层上表面的N型氮化镓层和生长在所述N型氮化镓层部分上表面的N型欧姆接触层，所述N型欧姆接触层设置有金属焊垫。 

8.根据权利要求5所述的白光LED芯片，其特征在于： 

所述白光LED芯片为正装型LED芯片，其包括外延衬底层、生长在所述外延衬底层上 表面的N型氮化镓层、生长在所述N型氮化镓层部分上表面的发光层、在所述N型氮化镓层部分上表面的N型欧姆接触层、在所述发光层上表面的P型氮化镓层和在所述P型氮化镓层部分上表面的P型欧姆接触层，一透明导电层覆盖在所述正装型LED芯片的P型欧姆接触层，一绝缘层覆盖在该透明导电层的部分表面，第一、二金属焊垫分别设置在所述N型欧姆接触层和该绝缘层表面。