[实用新型]光阻供给系统

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体设备技术领域，特别是涉及一种光阻供给系统。

背景技术

在半导体晶片的制作工艺中，光阻用以于半导体晶片表面上形成图案。而光刻工艺通常决定电路制造与电路结构的表面尺寸而为晶片制造的关键制作工艺。当集成电路变小以及晶体管在集成电路的集成度增加，对先进的半导体制作工艺而言，光刻工艺的精确性与图案化更小特征图案的能力变得更为重要。

一般而言，光刻工艺包括在半导体晶片的表层上涂敷光阻，接着，对光阻进行曝光以将掩膜上图案转移至光阻，并改变光阻中对应图案区域的结构与性质。然后，依照所使用光阻的型态，将光阻显影以移除曝光图案部分或是曝光图案之外的部分，以将光阻中的图案定义于晶片的表层。当所需的光阻图案被建立，特征图案则根据光阻图案并且例如是通过蚀刻制作工艺而被定义于半导体晶片的表层。而且，光阻通常对化学蚀刻剂具有抵抗力，因此，在半导体晶片表层上，只有在显影后光阻被移除部分的图案区域将会被蚀刻，以于半导体晶片表层定义出所需的特征图案。

在光刻工艺的涂敷光阻(PR coating)这一过程中，会遇到一些特殊状况，例如发生折管，密封泄漏，光阻泵(pump)损坏等，从而使PR的喷射量(dispense volume)异常，导致涂敷质量变差(poor coating)。

但是在现有技术中，由于机台无法侦测光阻喷射时光阻流量的变化，因此只有当在晶圆(wafer)上检查到异常的涂敷情况时，才知道机台有异常。并且，目前针对光阻喷射的异常情况，只能通过量测站点，例如对关键尺寸(CD)、套刻精度(OVL)的测量及显微镜的扫描(ADI)，以及线下的测机(offline monitor)来发现，反应滞后。这种情况下，通常会造成影响区间很长，而且无法100％控制住线上异常的产品，从而造成较大的损失。

实用新型内容

本实用新型的目的在于，提供一种光阻供给系统，以及时获悉光阻喷射是否正常，降低对产品的影响。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种光阻供给系统，包括：光阻容器、光阻泵、光阻供给管道、侦测模块以及分析模块，所述光阻供给管道一端插入到所述光阻容器中，所述光阻供给管道另一端与一光阻喷嘴连接，所述光阻泵设置于所述光阻供给管道上，所述侦测模块设置于光阻容器内以侦测光阻容器中压强的变动，所述分析模块与所述侦测模块连接以根据光阻容器中压强的变动确定光阻喷射情况。

可选的，对于所述的光阻供给系统，所述侦测模块设置于插入至光阻容器内的光阻供给管道上。

可选的，对于所述的光阻供给系统，所述侦测模块通过一支架固定于所述光阻容器内。

可选的，对于所述的光阻供给系统，所述侦测模块设置于所述光阻容器内的光阻液面上方。

可选的，对于所述的光阻供给系统，所述侦测模块为气压传感器。

可选的，对于所述的光阻供给系统，所述光阻供给系统还包括一显示屏，所述显示屏与所述分析模块连接。

可选的，对于所述的光阻供给系统，所述光阻供给系统还包括一警报器，所述警报器与所述分析模块连接。

可选的，对于所述的光阻供给系统，所述光阻供给系统设置于涂胶显影机台中。

与现有技术相比，本实用新型提供的光阻供给系统，通过设置有侦测模块，来侦测光阻容器中压强的变化，从而反映出光阻的喷射流量是否符合标准，从而及时的将情况反映出，避免了在异常发生时严重的信息滞后，防止造成较大影响。进一步的，通过设置显示屏和警报器，使得异常能够更加便捷的被获悉，方便了技术人员的处理。

附图说明

图1为本实用新型一实施例中光阻供给系统的结构示意图；

图2为本实用新型一实施例中光阻供给系统运作时的通讯关系图；

图3-图5为本实用新型一实施例中获得的不同情况下的分析结果。

具体实施方式

下面将结合示意图对本实用新型的光阻供给系统进行更详细的描述，其中表示了本实用新型的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本实用新型，而仍然实现本实用新型的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本实用新型的限制。