[实用新型]具有屏蔽膜的晶片组件和包括此类晶片组件的连接器有效

专利信息
申请号: 201420380819.0 申请日: 2014-07-10
公开(公告)号: CN203932516U 公开(公告)日: 2014-11-05
发明(设计)人: 刘灯;吴荣 申请(专利权)人: 3M创新有限公司
主分类号: H01R13/658 分类号: H01R13/658;H01R13/6461
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 周晨
地址: 美国明*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 具有 屏蔽 晶片 组件 包括 连接器
【权利要求书】:

1.一种用于电连接器的晶片组件,包括:

绝缘外壳,所述绝缘外壳包括被配置成面向配合连接器的配合边缘和被配置成安装到板上的安装边缘;

固定在所述绝缘外壳内的多个信号触点和多个接地触点,所述多个信号触点和接地触点中的每个信号触点和每个接地触点包括:

在所述绝缘外壳的配合边缘处和其外侧用于接触配合连接器的相应触点的接触部分;

在所述外壳的安装边缘处和其外侧用于接触板上的相应导电迹线的安装部分;以及

设置在所述外壳内并连接所述接触部分和所述安装部分的连接部分;以及

设置在所述绝缘外壳的第一最外主表面上并与至少一个接地触点的连接部分物理接触的第一导电屏蔽膜。

2.根据权利要求1所述的晶片组件,其中所述第一导电屏蔽膜包括附着到所述第一最外主表面的导电粘合剂层。

3.根据权利要求1所述的晶片组件,其中所述第一导电屏蔽膜被直接涂覆到所述第一最外主表面上。

4.根据权利要求1所述的晶片组件,其中所述第一导电屏蔽膜通过下列方法中的一种或多种被直接涂覆到所述第一最外主表面上:真空沉积方法、真空溅射方法、化学气相沉积(CVD)方法、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法、真空蒸发方法、喷雾沉积方法、等离子体喷雾沉积方法、低压化学气相沉积(LPCVD)方法、熔融蒸发沉积方法或物理气相沉积方法。

5.根据权利要求1所述的晶片组件,其中所述绝缘外壳限定所述绝缘外壳的第一最外主表面中的至少一个开口,所述至少一个开口暴露相应接地触点的连接部分,所述第一导电屏蔽膜通过所述至少一个开口与所述至少一个接地触点的连接部分物理接触。

6.根据权利要求1所述的晶片组件,其中所述第一导电屏蔽膜与每个接地触点的连接部分物理接触。

7.根据权利要求6所述的晶片组件,其中所述绝缘外壳限定多个开口,每个开口暴露相应接地触点的连接部分,所述第一导电屏蔽膜通过对应于每个接地触点的开口与所述接地触点的连接部分物理接触。

8.一种连接器,包括多个并置的组件,其中所述多个并置的组件中的每个组件为根据权利要求1-7中任一项所述的晶片组件。

9.一种连接器,包括连接器外壳和至少部分地并置在所述连接器外壳内的多个晶片组件,每个晶片组件包括:

绝缘晶片外壳;

固定在所述绝缘晶片外壳内的多个信号触点和多个接地触点;以及

设置在所述绝缘晶片外壳的第一最外主表面上并与每个接地触点物理接触的第一导电屏蔽膜。

10.根据权利要求9所述的连接器,其中每个晶片组件的所述绝缘晶片外壳包括与所述第一最外主表面相对的第二最外主表面,仅一个晶片组件的所述绝缘晶片外壳包括设置在所述绝缘晶片外壳的第二最外主表面上并与固定在所述绝缘晶片外壳内的每个接地触点物理接触的第二导电屏蔽膜。

11.根据权利要求9所述的连接器,其中所述多个信号触点和接地触点中的每个信号触点和每个接地触点包括:

在所述绝缘晶片外壳的配合边缘处和其外侧用于接触配合连接器的相应触点的接触部分;

在所述绝缘晶片外壳的安装边缘处和其外侧用于接触板上相应导电迹线的安装部分;以及

设置在所述绝缘晶片外壳内并连接所述接触部分和所述安装部分的连接部分。

12.根据权利要求9所述的连接器,其中所述绝缘晶片外壳限定多个开口,每个开口暴露相应接地触点的连接部分,所述第一导电屏蔽膜 通过对应于每个接地触点的开口与所述接地触点的连接部分物理接触。

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