[实用新型]一种D类功率放大器的输出级电路

权利要求书

1.一种D类功率放大器的输出级电路，其包括第一功率开关和第二功率开关，所述第一功率开关和第二功率开关依次串联于电源端和接地端之间，第一功率开关和第二功率开关之间的连接节点与所述输出级电路的输出端相连，其特征在于，其还包括驱动电路、第一信号线组和第二信号线组，

所述驱动电路包括第一输入端、第二输入端、第一输出端和第二输出端，第一输入端用于接收第一控制信号，第二输入端用于接收第二控制信号，

所述第一功率开关包括多个MOS晶体管，每个MOS晶体管的第一连接端和第二连接端分别与电源端和输出级电路的输出端相连；所述第一信号线组包括多路栅信号线，每路栅信号线与所述第一功率开关中的一个MOS晶体管唯一对应，所述第一信号线组中的每路栅信号线的一端与所述第一输出端相连，另一端与该路栅信号线唯一对应的MOS晶体管的栅极相连，

所述第二功率开关包括多个MOS晶体管，每个MOS晶体管的第一连接端和第二连接端分别与输出级电路的输出端和接地端相连；所述第二信号线组包括多路栅信号线，每路栅信号线与所述第二功率开关中的一个MOS晶体管唯一对应，所述第二信号线组中的每路栅信号线的一端与所述第一输出端相连，另一端与该路栅信号线对应的MOS晶体管的栅极相连。

2.根据权利要求1所述的D类功率放大器的输出级电路，其特征在于，

第一功率开关和第二功率开关中的MOS晶体管均为NMOS晶体管，所述NMOS晶体管的第一连接端为漏极，其第二连接端为源极。

3.根据权利要求1所述的D类功率放大器的输出级电路，其特征在于，

所述第一功率开关中的MOS晶体管为NMOS晶体管，该NMOS晶体管的第一连接端为漏极，其第二连接端为源极；所述第二功率开关中的MOS晶体管为PMOS晶体管，该PMOS晶体管的第一连接端为漏极，其第二连接端为源极。

4.根据权利要求2或者3所述的D类功率放大器的输出级电路，其特征在于，所述第一信号线组中的多路栅信号线长度相等；所述第二信号线组中的多路栅信号线长度相等。

5.根据权利要求2或者3所述的D类功率放大器的输出级电路，其特征在于，所述驱动电路包括第一驱动单元和第二驱动单元，

所述第一驱动单元用于放大所述第一控制信号并将放大后的第一控制信号通过所述第一输出端输出；所述第二驱动单元用于放大所述第二控制信号将放大后的第二控制信号通过所述第二输出端输出。

6.根据权利要求5所述的D类功率放大器的输出级电路，其特征在于，

所述第一驱动单元包括依次串联的第一NMOS晶体管和第一PMOS晶体管，第一NMOS晶体管和第一PMOS晶体管的栅极都与所述第一输入端相连，第一NMOS晶体管和第一PMOS晶体管之间的连接节点与所述第一输出端相连；

所述第二驱动单元包括依次串联的第二NMOS晶体管和第二PMOS晶体管，第二NMOS晶体管和第二PMOS晶体管的栅极都与所述第二输入端相连，第二NMOS晶体管和第二PMOS晶体管之间的连接节点与所述第一输出端相连。

7.根据权利要求1所述的D类功率放大器的输出级电路，其特征在于，

所述第一控制信号和第二控制信号之间设置有死区时间，该死区时间为控制第一功率开关和第二功率开关同时为关断的时间。