[实用新型]一种多晶硅棒用新型高压启动电源装置

权利要求书

1.一种多晶硅棒用新型高压启动电源装置，其特征在于，包括三相变压器、高压直流单相IGBT调压器P1、高压直流单相IGBT调压器P2和三相电抗器，所述三相电抗器包括电抗器L1、电抗器L2和电抗器L3；三相变压器的三相电输出端分别与高压直流单相IGBT调压器P1的三相电输入端和高压直流单相IGBT调压器P2的三相电输入端连接，高压直流单相IGBT调压器P1的正极出线依次串联电抗器L1和第一对多晶硅棒R1后接地，高压直流单相IGBT调压器P2的正极出线依次串联电抗器L3和第三对多晶硅棒R3后接地，高压直流单相IGBT调压器P1和高压直流单相IGBT调压器P2并联后的负极出线串联电抗器L2后接地。

2.根据权利要求1所述的多晶硅棒用新型高压启动电源装置，其特征在于，高压直流单相IGBT调压器P1或高压直流单相IGBT调压器P2均包括m个串联的斩波模块，m≥1且m为整数,每个斩波模块的三相电输入端分别与三相变压器的三相电输出端连接。

3.根据权利要求2所述的多晶硅棒用新型高压启动电源装置，其特征在于，在每个斩波模块中：二极管整流桥的一个输出端口分别与有极性的电容器C的阳极、IGBT场效应管Q1的集电极和二极管D1的阴极连接，二极管整流桥的另一个输出端口分别与有极性的电容器C的阴极、IGBT场效应管Q2的发射极和二极管D2的阳极连接，IGBT场效应管Q1和二极管D1并联，IGBT场效应管Q2和二极管D2并联，并且IGBT场效应管Q1的发射极和二极管D1的阳极连接后与IGBT场效应管Q2的集电极连接，IGBT场效应管Q2的集电极和二极管D2的阴极连接。

4.根据权利要求3所述的多晶硅棒用新型高压启动电源装置，其特征在于，所述三相变压器设有N个互相绝缘的副边，N＝m≥1，二极管整流桥的三相电输入端与三相变压器的副边连接。

5.根据权利要求4所述的多晶硅棒用新型高压启动电源装置，其特征在于，每个所述斩波模块所设定的额定电压为1000伏。

6.根据权利要求5所述的多晶硅棒用新型高压启动电源装置，其特征在于，所述高压直流单相IGBT调压器P1和高压直流单相IGBT调压器P2的输出电压为1000M伏，M小于或等于N。