[实用新型]像素电路和显示装置有效
| 申请号: | 201420327236.1 | 申请日: | 2014-06-18 |
| 公开(公告)号: | CN203932065U | 公开(公告)日: | 2014-11-05 |
| 发明(设计)人: | 杨盛际 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/32 |
| 代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 李迪 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 像素 电路 显示装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,尤其涉及一种像素电路和显示装置。
背景技术
有机发光显示器(OLED)是当今平板显示器研究领域的热点之一,与液晶显示器相比,OLED具有低能耗、生产成本低、自发光、宽视角及响应速度快等优点。目前,在手机、PDA、数码相机等显示领域OLED已经开始取代传统的液晶(LCD)显示屏。像素驱动电路设计是OLED显示器核心技术内容,具有重要的研究意义。
与TFT-LCD(薄膜场效应晶体管液晶显示器)利用稳定的电压控制亮度不同,OLED属于电流驱动,需要稳定的电流来控制发光。
由于工艺制程和器件老化等原因,在原始的2T1C驱动电路(包括两个薄膜场效应晶体管和一个电容)中,各像素点的驱动TFT的阈值电压存在不均匀性,这样就导致了流过每个像素点OLED的电流发生变化使得显示亮度不均,从而影响整个图像的显示效果。
并且现有技术中,一个像素电路一般对应于一个像素,每个像素电路都至少包含一条数据电压线、一条工作电压线和多条扫描信号线,这样就导致相应的制作工艺较为复杂,并且不利于缩小像素间距。
实用新型内容
本实用新型的目的是解决显示装置显示亮度不均的问题,并缩减显示装置中用于像素电路的信号线路数目,降低集成电路成本,同时提高像素密度。
为了实现上述目的,本实用新型提供了一种像素电路,包括两个子像素电路;
每个子像素电路包括:第一开关单元、第二开关单元、第三开关单元、第四开关单元、第五开关单元、驱动单元、储能单元和电致发光单元;并且,
第一开关单元的第一端连接工作电压线,第一开关单元的第二端连接驱动单元的输入端,用于在第一开关单元的控制端所接入的扫描信号线的控制下向所述驱动单元提供工作电压;
第二开关单元的第一端连接工作电压线,第二开关单元的第二端连接储能单元的第二端,用于在第二开关单元的控制端所接入的扫描信号线的控制下将所述储能单元的第二端置为工作电压;
第三开关单元的第一端连接驱动单元的输入端,第三开关单元的第二端连接储能单元的第一端以及驱动单元的控制端,用于在第三开关单元的控制端所接入的扫描信号线的控制下将所述驱动单元的控制端与所述驱动单元的输入端相连,并使驱动单元的输入端的电压对所述储能单元进行充放电;
第四开关单元的第一端连接数据电压线,第四开关单元的第二端连接储能单元的第二端,用于在第四开关单元的控制端所接入的扫描信号线的控制下将所述数据电压线中的电压写入到所述储能单元的第二端;
第五开关单元的第一端连接在驱动单元的输出端与电致发光单元之间,第五开关单元的第二端接地,用于在第五开关单元的控制端所接入的扫描信号线的控制下将驱动单元的输出端接地;
两个子像素电路中,第四开关单元的第一端连接相同的数据电压线,第一开关单元的控制端均接入第一扫描信号线,第二开关单元的控制端均接入第二扫描信号线,第五开关单元的控制端均接入第三扫描信号线;第一子像素电路的第三开关单元和第四开关单元的控制端均接入第四扫描信号线,第二子像素电路的第三开关单元和第四开关单元的控制端均接入第五扫描信号线。
优选的,所述开关单元和所述驱动单元为薄膜场效应晶体管,各个开关单元的控制端为薄膜场效应晶体管的栅极,各个开关单元第一端为薄膜场效应晶体管的漏极,各个开关单元第二端为薄膜场效应晶体管的源极;所述驱动单元的控制端为薄膜场效应晶体管的栅极;所述驱动单元的输入端为薄膜场效应晶体管的漏极,输出端为薄膜场效应晶体管的源极。
优选的,各个薄膜场效应晶体管均为N沟道型。
优选的,所述储能单元为电容。
优选的,所述电致发光单元为有机发光二极管。
本实用新型提供了一种显示装置,其特征在于,包括上述任一项所述的像素电路。
优选的,该显示装置中,像素电路的两个子像素电路分别位于同一行的两个相邻像素内。
优选的,所述两个相邻像素分别位于所述数据电压线的两侧。
优选的,所述两个相邻像素位于所述数据电压线的同一侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





