[实用新型]新型声表面波用压电晶体的生长挡片、晶架有效
| 申请号： | 201420323466.0 | 申请日： | 2014-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN204080173U | 公开（公告）日： | 2015-01-07 |
| 发明（设计）人： | 郭卫民;郭玉娥;赵世强 | 申请（专利权）人： | 北京石晶光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B7/10 | 分类号： | C30B7/10 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 张晓霞 |
| 地址： | 100000 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 新型 表面波 压电 晶体 生长 晶架 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于Z向大于92mm新型声表面波用压电晶体的生长的挡片，其特征在于：
所述挡片采用0.4-0.6mm铁皮，其中，挡片Z向按要求尺寸加5mm；Y向以产品要求为准；X为籽晶宽度与籽晶长到相关厚度时的和；所述挡片与晶架相固定。
2.一种用于Z向大于92mm新型声表面波用压电晶体的生长的晶架，其特征在于：
所述晶架一端连接权利要求1所述挡片，另一端固定吊装架；所述晶架内部的装挂撑间距依据产品规格进行具体设计。
3.根据权利要求2所述的晶架，其特征在于：所述晶架层间距为籽晶Y向长度装挂余量10-20mm。
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