[实用新型]一种可集成的高压LDMOS器件有效
| 申请号： | 201420163189.1 | 申请日： | 2014-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN203760483U | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 陈利;高耿辉;高伟钧 | 申请（专利权）人： | 厦门元顺微电子技术有限公司;友顺科技股份有限公司;大连连顺电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 361008 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 集成 高压 ldmos 器件 | ||
1.一种可集成的高压LDMOS器件，其特征在于：包括无外延单晶P型衬底；所述无外延单晶P型衬底中设置有相互邻接的源区和高压N阱漂移区；所述高压N阱漂移区上设置有P型降场区和漏区；所述的P型降场区和漏区上覆盖有氧化层；所述氧化层的左上方设置有多晶硅栅，右上方设置有多晶硅场板；所述的多晶硅栅、多晶硅场板以及多晶硅栅和多晶硅场板之间裸露的氧化层上覆盖有低温淀积氧化层；所述低温淀积氧化层的左上方设置有源极金属，右上方设置有漏极金属；所述源极金属的延伸部与所述源区连接；所述漏极金属的延伸部与所述漏区连接，且该漏极金属经所述低温淀积氧化层上的接触窗与所述多晶硅场板连接。
2.根据权利要求1所述的可集成的高压LDMOS器件，其特征在于：所述源区包括P型基区；所述P型基区中设置有相互邻接的N+漏区和P+接触区；所述的源极金属的延伸部与所述N+漏区和P+接触区连接。
3.根据权利要求1所述的可集成的高压LDMOS器件，其特征在于：所述漏区包括依次层叠的缓冲层和N+漏区；所述的漏极金属的延伸部与所述N+漏区连接。
4.根据权利要求1所述的可集成的高压LDMOS器件，其特征在于：所述氧化层包括场氧化层和栅氧化层；所述栅氧化层位于所述多晶硅栅下。
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