[实用新型]高精度大动态数控衰减器有效

专利信息
申请号: 201420150032.5 申请日: 2014-03-31
公开(公告)号: CN204046546U 公开(公告)日: 2014-12-24
发明(设计)人: 周开斌;毛艳 申请(专利权)人: 成都创新达微波电子有限公司
主分类号: H03H17/00 分类号: H03H17/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610041 *** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 高精度 动态 数控 衰减器
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及衰减器,具体涉及一种高精度大动态数控衰减器。

背景技术

国内已有的程控衰减器分别涉及了衰减范围0-127dB,50dB等,响应时间分别有1ms,10ms等相关报道。当程控衰减器的衰减动态越大,微波信号的串扰和辐射就越大,但是目前国内尚未出现同时具有衰减动态达到127dB以上,响应速度≤ 100ns的高精度大动态数控衰减器的报道。

实用新型内容

针对现有技术中的上述不足,本实用新型提供的高精度大动态数控衰减器能够在衰减动态大幅度提高时有效降低串扰。

为了达到上述发明目的,本实用新型采用的技术方案为:提供一种高精度大动态数控衰减器,其至少包括两级衰减单元,至少一个衰减单元与驱动电路连接;所述衰减单元与衰减单元之间通过3mm宽的微带槽连接;所述衰减单元设置在一个宽度为3mm-9mm空腔内,所述空腔的顶部通过螺钉固定有一块盖板。

设计时,优选所述衰减单元包括电容C1、偏置电路、由二极管V1接地组成的第一支路、由电感L1接地组成的第二支路、由二极管V2和二极管V3串联组成的第三支路,由二极管V4、电容C2、电容C3和二极管V5依次串联组成的第四支路;

所述第三支路与第四支路并联形成第一电路;所述第一电路的两端均连接有一条第二支路;所述二极管V2和二极管V3之间连接有两条第一支路;所述二极管V4与电容C2之间以及电容C3与二极管V5均连接有一条第一支路;所述偏置电路一端与电容C2的输入端连接,另一端与电容C3输出端之间连接。

设计时,优选所述二极管V2和二极管V3之间的两条第一支路之间还设置有一条由电感L2和电感C4串联而成的第五支路。

设计时,进一步优选所述盖板上的螺钉之间的间距小于等于衰减单元工作频率的四分之一波长。

设计时,进一步优选所述偏置电路至少包括两级LC滤波器,所述LC滤波器由一个电感L3和电容C5并联而成,所述电容的一端接地。

设计时,再进一步优选所述电感L3为空心电感。

设计时,再进一步优选所述数控衰减器至少包括三级LC滤波器、四级LC滤波器或五级LC滤波器。

本事实用新型的有益效果为:将每级衰减单元放在一个密封的腔体内,衰减单元相互之间用3mm宽的微带槽相连,每一级衰减单元之间不敞开,从而有效地降低串扰。

附图说明

图1为本实用新型高精度大动态数控衰减器一个实施例的电路图;

图2为本实用新型偏置电路的LC滤波器一个实施例的电路图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的具体实施方式进行详细地描述:

参考图1,图1为本实用新型高精度大动态数控衰减器一个实施例的电路图,如图1所示,该高精度大动态数控衰减器至少包括两级衰减单元,至少一个衰减单元与驱动电路连接;所述衰减单元与衰减单元之间通过3mm宽的微带槽连接;所述衰减单元设置在一个宽度为3mm-9mm空腔内,所述空腔的顶部通过螺钉固定有一块盖板。

本实施例将每级衰减单元放在一个腔体内,相互之间用3mm宽的微带槽相连,每一级衰减单元之间不敞开,从而有效地降低串扰。

参考图2,图2为本实用新型高精度大动态数控衰减器的偏置电路一个实施例的电路图。

如图2所示,所述衰减单元包括电容C1、偏置电路、由二极管V1接地组成的第一支路、由电感L1接地组成的第二支路、由二极管V2和二极管V3串联组成的第三支路,由二极管V4、电容C2、电容C3和二极管V5依次串联组成的第四支路;

所述第三支路与第四支路并联形成第一电路;所述第一电路的两端均连接有一条第二支路;所述二极管V2和二极管V3之间连接有两条第一支路;所述二极管V4与电容C2之间以及电容C3与二极管V5均连接有一条第一支路;所述偏置电路一端与电容C2的输入端连接,另一端与电容C3输出端之间连接。

所述二极管V2和二极管V3之间的两条第一支路之间还设置有一条由电感L2和电感C4串联而成的第五支路。

为了在数控衰减器衰减动态大幅度提高的同时有效降低微波辐射带来的影响,在本实用新型的一个实施例中,将盖板上的螺钉之间的间距设置成小于等于衰减单元工作频率的四分之一波长。

一般偏置电路采用两级LC滤波器,实验表明,二级滤波只能达到几十分贝的抑制,为此,我们在生产大动态衰减器时会根据需要采用三级LC滤波器,四级LC滤波器甚至五级LC滤波器,且LC滤波器的电容C5选择对高频寄生参数小的电容,通过这样的处理,偏置电路泄漏的问题也得到了解决。

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