[实用新型]半导体集成电路和半导体模块

说明书

技术领域

本实用新型涉及例如用于对构成无刷直流电机的功率因数改善电路和逆变器电路进行驱动的半导体集成电路以及用于驱动无刷直流电机的半导体模块。

背景技术

公知有将功率因数改善电路和逆变器电路密封在单个树脂封装内的以往的半导体模块（专利文献1）。以往的半导体模块包含构成功率因数改善电路的半导体元件和构成逆变器电路的半导体元件。此外，以往的半导体模块包含对功率因数改善电路和逆变器电路进行驱动的驱动电路。由于以往的半导体模块集成了多个电路部件，因此有助于自身所安装的电路基板的小型化。

专利文献1：日本特开2002-233165

实用新型内容

本实用新型提供如下的半导体集成电路和半导体模块：抑制在温度循环环境下有可能在半导体集成电路中发生的不良状况，从而具有高可靠性。

根据本实用新型的一个实施方式，提供一种半导体集成电路，其对功率因数改善电路和逆变器电路进行驱动，该半导体集成电路的特征在于，

所述半导体集成电路具有俯视观察时呈四角形状的半导体基板、功率因数改善电路驱动部、逆变器电路驱动部以及金属布线，

所述功率因数改善电路驱动部、所述逆变器电路驱动部以及所述金属布线配置于所述半导体基板上，

所述金属布线以包围所述功率因数改善电路驱动部和所述逆变器电路驱动部的方式沿着所述半导体基板的外周配置，并且，所述金属布线在所述半导体基板的至少一个角部处具有非垂直部。

所述金属布线接地。

所述金属布线在所述至少一个角部处被配置为比其他部分细。

根据本实用新型的另一个实施方式，提供一种半导体模块，其特征在于，该半导体模块具有功率因数改善电路、逆变器电路以及上述的半导体集成电路。

根据本实用新型，能够提供如下的半导体集成电路和半导体模块：抑制在温度循环环境下有可能在半导体集成电路中发生的不良状况，从而具有高可靠性。

附图说明

图1是示出本实用新型的实施方式的半导体模块结构的电路图。

图2是示出本实用新型的实施方式的半导体模块结构的平面图。

图3是示出本实用新型的比较例的半导体模块结构的平面图。

图4是示出本实用新型的实施方式的半导体集成电路结构的平面图。

标号说明

1：功率因数改善电路；2：逆变器电路；3：半导体集成电路；10：半导体模块；30：半导体基板；31：输入逻辑部；32：功率因数改善电路驱动部；33：电平转换部；34：高压侧开关元件驱动部；35：低压侧开关元件驱动部；36：保护部；37：金属布线；100：树脂密封体；BD1：第1二极管；BC1：第1电容器；S101：第1侧面；S102：第2侧面；S31：第1边；S32：第2边；C1：第1角部；C2：第2角部；C3：第3角部；C4：第4角部。

具体实施方式

下面，参照附图说明本实用新型的实施方式。在以下的附图记载中，对于相同或者类似的部分标注相同或者类似的标号。但是，应注意的是，附图是示意性的。另外，以下所示的实施方式例示了用于具体化本实用新型的技术思想的装置和方法，本实用新型的实施方式并没有将构成部件的构造、配置等限定为下述的内容。关于本实用新型的实施方式，可以在权利要求的范围内实施各种变更。

图1是示出本实用新型的实施方式的半导体模块结构的电路图。本实施方式的半导体模块10具有功率因数改善电路1、逆变器电路2、半导体集成电路3以及第1二极管BD1（BD2、BD3）。逆变器电路2具有串联连接在功率因数改善电路1的第1输出端P+与第2输出端P-之间的第1开关元件Q21（Q23、Q25）和第2开关元件Q22（Q24、Q26）。半导体集成电路3与控制电源VCC和第1基准点HS1（HS2、HS3）连接，该第1基准点HS1（HS2、HS3）是第1开关元件Q21（Q23、Q25）与第2开关元件Q22（Q24、Q26）之间的连接点。第1二极管BD1（BD2、BD3）具有与控制电源VCC连接的阳极端子和经由第1电容器BC1（BC2、BC3）与第1基准点HS1（HS2、HS3）连接的阴极端子。