[实用新型]一种薄型表贴式陶瓷射频衰减器

权利要求书

1.一种薄型表贴式陶瓷射频衰减器，包括呈长方形平板状的陶瓷介质基板（1）、第一、二、三、四、五、六、七、八、九金属导电膜（2、2a、2b、2c、2d、2e、2f、2g、2h）及第一、二、三电阻膜（3、3a、3b），其特征在于：在所述陶瓷介质基板（1）的表面依次覆盖有第一、二、三金属导电膜（2、2a、2b）及第一、二、三电阻膜（3、3a、3b），在所述陶瓷介质基板（1）的底面依次覆盖有第四、五、六金属导电膜（2c、2d、2e），在所述陶瓷介质基板（1）的前侧面两端对称覆盖有第七、八金属导电膜（2f、2g），在所述陶瓷介质基板（1）的后侧面覆盖有第九金属导电膜（2h），所述陶瓷介质基板（1）的左右两侧面是未覆盖有金属导电膜的断路区。

2.根据权利要求1所述的一种薄型表贴式陶瓷射频衰减器，其特征在于：所述第一金属导电膜（2）分别与第七金属导电膜（2f）及第一、二电阻膜（3、3a）连接，所述第二金属导电膜（2a）分别与第八金属导电膜（2g）及第一、三电阻膜（3、3b）连接，所述第三金属导电膜（2b）分别与第九金属导电膜（2h）及第二、三电阻膜（3a、3b）连接，所述第四金属导电膜（2c）与第七金属导电膜（2f）连接，所述第五金属导电膜（2d）与第八金属导电膜（2g）连接，所述第九金属导电膜（2h）分别与第三、六金属导电膜（2b、2e）连接。

3.根据权利要求1所述的一种薄型表贴式陶瓷射频衰减器，其特征在于：所述陶瓷介质基板（1）的尺寸为5.0×2.5×0.635mm。

4.根据权利要求1所述的一种薄型表贴式陶瓷射频衰减器，其特征在于：所述陶瓷介质基板（1）选自诱电率低的氮化铝陶瓷材料制成。

5.根据权利要求1所述的一种薄型表贴式陶瓷射频衰减器，其特征在于：所述第一、二金属导电膜（2、2a）的形状为对称分布的双矩形。

6.根据权利要求1所述的一种薄型表贴式陶瓷射频衰减器，其特征在于：所述第三金属导电膜（2b）及第六金属导电膜（2e）的形状均为八边形。

7.根据权利要求1所述的一种薄型表贴式陶瓷射频衰减器，其特征在于：所述第四、五金属导电膜（2c、2d）、第七、八金属导电膜（2f、2g）及第二、三电阻膜（3a、3b）的形状均为对称的矩形。

8.根据权利要求1所述的一种薄型表贴式陶瓷射频衰减器，其特征在于：所述第九金属导电膜（2h）及第一电阻膜（3）的形状均为矩形。