[实用新型]场管开启电压测试装置有效
| 申请号： | 201420068677.4 | 申请日： | 2014-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN203721717U | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 贺冠中 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 开启 电压 测试 装置 | ||
1.一种场管开启电压测试装置，其特征在于，包括：
阱区；
设置在所述阱区内的源极，所述源极的掺杂类型与所述阱区的掺杂类型相反；
设置在所述阱区内的漏极，所述漏极的掺杂类型与所述阱区的掺杂类型相反；
设置在所述阱区上且围绕在所述源极和所述漏极外围的第一厚度氧化层；
设置在所述源极和所述漏极之间的所述第一厚度氧化层上的栅极；
设置在所述源极上的第二厚度氧化层；
设置在所述漏极上的第三厚度氧化层。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述栅极为至少两个，且所述至少两个所述栅极之间串联。
3.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述栅极为多晶硅或金属。
4.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述第一厚度氧化层为二氧化硅。
5.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述第一厚度氧化层为氮化硅。
6.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述第二厚度氧化层为二氧化硅或氮化硅。
7.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述第三厚度氧化层为二氧化硅或氮化硅。
8.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述第一厚度氧化层的厚度大于5000埃。
9.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述第二厚度氧化层的厚度小于200埃。
10.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述第三厚度氧化层的厚度小于200埃。
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