[发明专利]低导通电阻LDMOS 的结构及制作方法在审
| 申请号： | 201410853546.1 | 申请日： | 2014-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104538309A | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 邢军军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 通电 ldmos 结构 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.低导通电阻LDMOS的结构，其特征在于，该LDMOS的漂移区采用超浅槽隔离结构，漂移区两侧采用常规浅槽隔离结构。
2.根据权利要求1所述的LDMOS的结构，其特征在于，所述超浅槽隔离结构的深度为
3.根据权利要求1或2所述的LDMOS的结构，其特征在于，所述超浅槽隔离结构的刻蚀角度为70度。
4.权利要求1所述低导通电阻LDMOS的制作方法，其特征在于，该LDMOS的浅槽隔离结构的形成步骤包括：
1)用掩膜遮住有源区，通过光刻刻蚀，在漂移区两侧形成常规浅槽隔离结构的沟槽；
2)用掩膜定义超浅槽隔离结构的图形，通过光刻刻蚀，在漂移区形成超浅槽隔离结构的的沟槽；所述超浅槽隔离结构的深度浅于所述常规浅槽隔离结构的深度；
3)在所述常规浅槽隔离结构和超浅槽隔离结构的沟槽内淀积二氧化硅，进行化学机械研磨，形成常规浅槽隔离结构和超浅槽隔离结构。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述超浅槽隔离结构的深度为
6.根据权利要求4或5所述的方法，其特征在于，所述超浅槽隔离结构的刻蚀角度为70度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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