[发明专利]一种圆片级扇出PoP封装结构及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201410843472.3 申请日: 2014-12-30
公开(公告)号: CN104505382A 公开(公告)日: 2015-04-08
发明(设计)人: 夏国峰;于大全 申请(专利权)人: 华天科技(西安)有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L21/60
代理公司: 代理人:
地址: 710018陕西省西安*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 圆片级扇出 pop 封装 结构 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种圆片级扇出PoP封装结构,其特征在于,通过至少一个扇出PoP封装单元堆叠形成;一个扇出PoP封装单元由两个相同结构的封装体构成;

所述一个封装体包括有金属凸点结构(2)、IC芯片(3)、键合焊盘(4)、第二粘贴材料(5),第一塑封材料(6)、第一再布线金属走线层(7)、第一金属层(8)、第一介电材料层(9)、第二再布线金属走线层(10)、第二介电材料层(11)、第二金属层(12);所述IC芯片(3)带有键合焊盘(4),第二粘贴材料(5)粘贴于IC芯片(3)的表面,第一塑封材料(6)包围金属凸点结构(2)和IC芯片(3),IC芯片(3)的键合焊盘(4)与第一再布线金属走线层(7)连接,第一再布线金属走线层(7)上制作有第一金属层(8),第一介电材料层(9)包围第一再布线金属走线层(7),并涂覆在IC芯片(3)、金属凸点结构(2)和第一塑封材料(6)同一侧面;在IC芯片(3)、金属凸点结构(2)和第一塑封材料(6)另一个侧面涂覆有第二介电材料层(11),第二介电材料层(11)包围第二再布线金属走线层(10),第二再布线金属走线层(10)上制作有第一金属层(12);

两个相对放置的封装体的第二金属层(12)由第一焊球(13)连接,并在一个封装体的第一金属层(8)上连接第二焊球(14),形成一个扇出PoP封装单元;

第二焊球(14)再连接有一个相对放置的扇出PoP封装单元的第一金属层(8),所述未植球部分的第一金属层(8)、第一焊球(13)及其连接的一对第二金属层(12)、第二焊球(14)及其连接的一对第一金属层(8)包围有第二塑封材料(15),形成一个圆片级扇出PoP封装结构。

2.根据权利要求1所述一种圆片级扇出PoP封装结构,其特征在于,金属凸点结构(2)是但不局限于铜、铜合金、铁、铁合金、镍、镍合金、钨金属材料。

3.根据权利要求1所述一种圆片级扇出PoP封装结构,其特征在于,第一再布线金属走线层(7)和第二再布线金属走线层(10)是但不局限于铜、铜合金、铁、铁合金、镍、镍合金、钨金属材料。

4.根据权利要求1所述一种圆片级扇出PoP封装结构,其特征在于,IC芯片(3)的有源面、金属凸点结构(2)的上表面和第一塑封材料(6)的上表面在同一平面上。

5.一种圆片级扇出PoP封装结构的制造方法,其特征在于,具体按照以下步骤进行:

步骤1:准备第一载体圆片(100),通过第一粘贴材料(100a)将金属基材圆片(1)配置于第一载体圆片(100)上;

步骤2:在金属基材圆片(1)的上表面通过蚀刻或者电镀方法制作金属凸点结构(2);

步骤3:通过第二粘贴材料(5)将IC芯片(3)配置于金属基材圆片(1)上,IC芯片(3)带有键合焊盘(4);

步骤4:采用高温加热注塑方法,将低吸水率、低应力的环保型第一塑封材料(6)包覆密封IC芯片(3)和金属凸点结构(2),并裸露出IC芯片(3)的有源面和金属凸点结构(2)的上表面,塑封后进行烘烤后固化工艺;

步骤5:在IC芯片(3)的有源面、金属凸点结构(2)的上表面和第一塑封材料(6)的上表面涂覆第一介电材料层(9),通过曝光、显影方法在第一介电材料层(9)上形成图形,采用电镀或者化学镀方法制作第一再布线金属走线层(7),在第一再布线金属走线层(7)上制作第一金属层(8),采用第一介电材料层(9)涂覆包裹第一再布线金属走线层(7);IC芯片(3)的键合焊盘(4)与第一再布线金属走线层(7)互联;

步骤6:通过第三粘贴材料(200a)将第二载体圆片(200)粘贴配置于第一金属层(8)和第一介电材料层(9)上;

步骤7:通过机械、蚀刻或者曝光方法去除第一载体圆片(100)和第一粘贴材料(100a);

步骤8:采用蚀刻方法对金属基材圆片(1)的下表面进行蚀刻,形成第二再布线金属走线层(10),在第二再布线金属走线层(10)上制作第二金属层(12),采用第二介电材料层(11)涂覆包裹第二再布线金属走线层(10);

步骤9:在第二金属层(12)上进行植球工艺,并进行回流焊工艺,得到呈阵列排布的第一焊球(13);

步骤10:将上述步骤9制作形成的结构进行面对面堆叠回流焊工艺,第一焊球(13)成为上、下结构的互联结构;

步骤11:通过机械、蚀刻或者曝光方法去除第二载体圆片(200)和第三粘贴材料(200a);

步骤12:在第一金属层(8)上进行植球和回流焊工艺,得到呈阵列排布的第二焊球(14),形成扇出PoP封装单元;

步骤13:将至少一个扇出PoP封装单元进行堆叠回流焊,第二焊球(14)成为上、下相邻扇出PoP封装单元的互联结构;

步骤14:采用高温加热注塑方法,将第二塑封材料(15)进行包覆密封,塑封后进行烘烤后固化工艺,形成圆片级扇出PoP封装;

步骤15:切割形成单颗圆片级扇出PoP封装。

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